Dołącz do nas!

Jesteśmy przekonani, że siłą nauki są ludzie. Tworzymy młody zespół otwarty na współpracę i rozwój. Naszym celem jest stworzenie warunków, gdzie pasja, kreatywność i zaangażowanie będą procentować satysfakcją z pracy. Projektujemy i wytwarzamy struktury diod laserowych, diod LED, kryształów fotonicznych i innych urządzeń optoelektronicznych. Naszym atutem jest to, że wykorzystujemy technikę epitaksji z wiązek molekularnych (ang. plasma-assisted molecular beam epitaxy - PAMBE). Prowadzimy szereg różnych projektów naukowych (link do aktualnej listy tutaj, w których staramy się zrozumieć fizykę mechanizmów rządzących obserwowanymi zjawiskami, jak też mierzymy się z technologicznymi wyzwaniami, na przykład próbując znaleźć optymalne warunki wzrostu warstw nadprzewodnika NbN na GaN do zastosowań w komputerach kwantowych.

Proponujemy staże, praktyki, a także studia doktoranckie

Poszukujemy zaangażowanych młodych ludzi, chętnych uczyć się nowych rzeczy takich jak fizyka i technika wysokiej próżni, ciekawych pracy w laboratorium cleanroom z materiałami półprzewodnikowymi, zainteresowanych modelowaniem działania przyrządów optoelektronicznych.

Oferujemy:

pracę nad globalnie istotnymi problemami badawczymi
doświadczenie w technologiach wytwarzania półprzewodników
zaangażowanie w projekty prowadzone we współpracy z ośrodkami w USA, Belgii, Niemczech, Finlandii
udział w międzynarodowych konferencjach
wynagrodzenie zależne od zaangażowania

Wymagamy:

tytułu magistra z dziedziny fizyka, elektronika, inżynieria materiałowa, chemia, automatyka lub pokrewnej
znajomości fizyki półprzewodników
komunikatywnej znajomości języka angielskiego
umiejętności pracy z danymi
oraz podstaw programowania

Pobierz ofertę dla doktoranta w pliku PDF

Pobierz ofertę na praktyki w pliku PDF

Przykładowe tematy prac dyplomowych

Symulacje komputerowe oraz pomiary oddziaływania pomiędzy dwoma sprzężonymi diodami laserowymi - promotor dr hab. inż. Grzegorz Muzioł
Budowa i oprogramowanie układu optycznego do pomiaru mikro-fotoluminescencji na limicie dyfrakcyjnym - promotor dr hab. inż. Grzegorz Muzioł
Wzrost epitaksjalny wielozłączowych diod laserowych do zastosowań wysokiej mocy - promotor dr hab. inż. Grzegorz Muzioł
Zastosowanie kierunkowości strumieni atomowych do tworzenia zakopanych kryształów fotonicznych w azotku galu - promotor dr hab. Henryk Turski
Pomiary koncentracji nośników swobodnych w (In,Al,Ga)N o płynnie zmiennym składzie - promotor dr hab. Henryk Turski
Relaksacja InGaN na nanoporowatym GaN - promotor dr inż. Marta Sawicka
Koalescencja nanowysp InGaN - w kierunku pseudopodłoży o dedykowanej stałej sieci - promotor dr inż. Marta Sawicka
i inne tematy w nawiązaniu do aktualnie prowadzonych projektów, również pod opieką promotorską prof. Czesława Skierbiszewskiego

Skontaktuj się z nami i umów na wizytę w laboratorium!

Jeśli jesteś zainteresowany praktyką? Wyślij swoje CV na adres gmuziol@unipress.waw.pl lub sawicka@unipress.waw.pl, podając termin i długość praktyki. Jeśli któryś temat Cię szczególnie zainteresował, też o tym wspomnij. Odezwiemy się do Ciebie!

Chcesz sprawdzić się w pracy badawczej? Rozważasz doktorat? Napisz do nas! Otrzymasz mentoring opiekuna merytorycznego, który pokieruje Cię w pracy naukowej, udzieli porad i odpowie na Twoje pytania. Napisz na adres gmuziol@unipress.waw.pl, henryk@unipress.waw.pl lub sawicka@unipress.waw.pl.

Gdzie nas znaleźć? Adres i mapka w zakładce Kontakt