Instytut Wysokich Ciśnień

W dniu 29 kwietnia 2020 r. o godz. 15:00 odbyła się zdalna publiczna obrona rozprawy doktorskiej

mgr inż. Małgorzaty Iwińskiej

W styczniu 2020 r. w czasopiśmie Scientific Reports ukazała się praca dyskutująca mechanizmy rekombinacji w InGaN-owych studniach kwantowych wzrastanych na podłożach GaN o różnej polarności, a co za tym idzie o różnym wbudowanym polu elektrycznym. Naukowcy z grupy NL-15 IWC PAN we współpracy z kolegami z Politechniki Wrocławskiej zbadali wpływ fluktuacji indu oraz wbudowanego pola elektrycznego na własności optyczne studni kwantowych.

Link: https://www.nature.com/articles/s41598-020-58295-x

Rezultatem tej pracy jest stwierdzenie, że fluktuacje w skali nanoskopowej występują zarówno w polarnych jak i półpolarnych strukturach kwantowych InGaN/GaN, natomiast dla obu typów polarności, zdecydowanie różnią się wkłady do rekombinacji promienistej takich mechanizmów jak rekombinacja ekscytonowa  i rekombinacja plazmy elektrono-dziurowej. Ważnym wynikiem jest pokazanie, że rekombinacja niepromienista skaluje się z polem elektrycznym w sposób podobny do rekombinacji promienistej, utrzymując wewnętrzną sprawność kwantową na zbliżonym poziomie.

W dniu 27 marca 2020 r. o godz. 12:00 w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, w Sali Seminaryjnej odbędzie się

PUBLICZNA OBRONA ROZPRAWY DOKTORSKIEJ

mgr inż. Małgorzaty Iwińskiej

Temat rozprawy:

„HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration and controllable doping – highly conductive n-type and semi insulating material”

Obrona pracy odbędzie się przed Komisją powołaną przez Radę Naukową Instytutu. W posiedzeniu Komisji po obronie pracy doktorskiej biorą udział jej członkowie oraz przybyli członkowie Rady Naukowej. Serdecznie zapraszamy.

Rozprawa doktorska wraz z recenzjami jest do wglądu w sekretariacie Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, ul. Sokołowska 29/37, pok. 208.