Instytut Wysokich Ciśnień

Miło nam poinformować, że Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” zostało objęte wsparciem w ramach Inwestycji A2.4.1 Inwestycje w rozbudowę potencjału badawczego Krajowego Planu Odbudowy i Zwiększania Odporności.

Centrum, założone przez prof. dr hab. Izabellę Grzegory, czł. koresp. PAN i znajdujące się na liście strategicznych infrastruktur badawczych umieszczonych na Polskiej Mapie Infrastruktury Badawczej (numer decyzji DIR/PMIB/2020/99), otrzymało wsparcie w wysokości 75 759 580,00 PLN przy całkowitym koszcie kwalifikowalnym przedsięwzięcia 89 144 580,00 PLN.

Więcej o Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” pod linkiem.

W ramach projektu zbudowana zostanie infrastruktura do produkcji struktur kwantowych dla urządzeń elektronicznych dużej mocy i wysokiej częstotliwości opartych na półprzewodnikach azotkowych i podłożach z azotku galu (GaN) o średnicy 4-cale. Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk jest jedynym europejskim wytwórcą podłoży GaN.

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej ogłosiła listę laureatów i laureatek 32. konkursu w programie START. Prestiżowe stypendia otrzyma 100 wybitnych młodych naukowców, w tym mgr inż. Mikołaj Żak z naszego Instytutu w dziedzinie elektronika. Gratulujemy!

Program START jest najstarszym w Polsce programem stypendialnym dla najlepszych młodych naukowców reprezentujących wszystkie dziedziny nauki. Jego celem jest wspieranie wybitnych młodych uczonych i zachęcanie ich do dalszego rozwoju naukowego. Laureaci i laureatki programu START w edycji 2024 otrzymają roczne stypendium w wysokości 30 tys. zł. Mogą je przeznaczyć na dowolny cel.

Więcej o programie START i tegorocznej jego edycji na stronie FNP.

This year Anna KAFAR from our Instutute together with Takuya MAEDA, Matteo MENEGHINI, and Eva MONROY organize Symposium I “III-nitrides and their use in electronics and optoelectronics” within the E-MRS 2024 Fall Meeting & Exhibit. Conference is organized at the University of Technology in Warsaw, Poland from 16^th to 19^th September 2024.

The symposium is a platform for exchanging research results and discussions related to III-nitride semiconductor growth, characterization and device fabrication. This includes traditional materials: GaN, InGaN, AlGaN, as well as so-called new nitrides: NbN, ScAlN. All the information is here.

Submission Deadline: June 6 (Thursday), 2024

Notification about decision: July 15 (Thursday), 2024

More info and submission: https://www.european-mrs.com/iii-nitrides-and-their-use-electronics-and-optoelectronics-emrs

Badania prowadzone w naszym Instytucie w laboratorium NL10 wykazały ciekawe właściwości nanokolidów opartych na ciekłym krysztale (MBBA) z dodatkiem nanocząstek BaTiO₃. Już poprzednie prace tej grupy wskazały, że dodanie minimalnej ilości nanocząstek zasadniczo zmienia własności układu. Tym razem badano właściwości w kierunku prostopadłym względem długiej osi molekuł.

Badania nanokoloidów wykazały, że w fazie izotropowej obserwowany jest efekt przedprzejściowy stałej dielektrycznej, który można łączyć z tzw. ujemnym ciepłem właściwym. W fazie nematycznej, ulegającej przechłodzeniu, pojawia się bardzo silna sygnatura minięcia temperatury topnienia pomimo braku krystalizacji. Dalej, to bardzo silny efekt przedprzejściowy w fazie stałej, który wyjaśniono na bazie koncepcji łączącej model Lipovsky’ego dla nanowarstw cieczy pomiędzy dwoma powierzchniami, i hipotezę pojawiania się w tych warstwach ujemnych ciśnień – prowadzącą do Katastrofy Mossotti’ego. W tej pracy także po raz pierwszy pokazano niezwykle prostą paramateryzację zmian przenikalności elektrycznej w obszarze niskich częstotliwość (co było dotąd nierozwiązanym problemem) oraz nieznaną dotąd krytyczną anomalię współczynnika dyssypacji, czyli D=tgδ związanego z rozpraszaniem energii.

Wyniki opublikowano w pracy A. Drozd-Rzoska, J. Łoś, S.J. Rzoska, The dominance of pretransitional effects in the liquid crystal based nanocolloids: nematogenic MBBA with the transverse permanent dipole moment  and BaTiO₃ nanoparticles, Nanomaterials 2024, 14, 655 (Impact Factor: 5.3), która dostępna jest w modelu Open Access.

Zmiany temperatury dla współczynnika tgδ (rozproszenia energii) dla częstotliwości f=12 Hz w MBBA i pokrewnych nanokoloidach z nanocząsteczkami BaTiO₃. Ciągłe zielone i niebieskie krzywe dotyczą krytycznej parametryzacji empirycznej D(T)=tgδ=δ*+d(T-T_δ)+D(T-T_δ)^Ѱ z wykładnikiem Ѱ≈4. Warto zwrócić uwagę na związek tej wielkości ze stratą mocy: P=ωCV²tgδ.