Instytut Wysokich Ciśnień

Cztery referaty zaproszone i trzy komunikaty ustne zostaną przedstawione podczas zbliżającej się konferencji EMRS Fall Meeting. Na sympozjum F (Ultra wide-band-gap semiconductors for energy and electronics) Konrad Sakowski wygłosi referat zaproszny pt. “Polarization-doping of AlGaN laser diodes in numerical simulations”. Z kolei podczas sympozjum G (New frontiers in wide-band-gap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing) Gosia Iwinska wygłosi referat zaproszony pt. “Recent progress in crystallization of bulk gallium nitride: wafers for vertical power devices”. Podczas tego symposium Piotr Kruszewski, Pawel Prystawko I Michal Bockowski przedstawią swoje ostatnie wyniki dotyczące półprzewodników azotkowych. Podczas sesji łączonej sympozjów F i G prof. Stanisław Krukowski wygłosi referat zaproszony pt „Adsorption of aluminum and nitrogen at polar AlN surfaces – ab intio picture of AlN growth”, a podczas sympozjum H Marta Sawicka wygłosi referat zaproszony pt.  "Electrochemical etching for blue laser diodes with nanoporous GaN cladding".

W najnowszym numerze Journal of Physical Chemistry Letters (IF = 6.888, 200 pkt MEN) ukazała się ważna i ciekawa praca Autorów z IWC PAN:

Aleksandra Drozd-Rzoska, Szymon Starzonek, Sylwester J. Rzoska, Michał Boćkowski, Jerzy E. Garbarczyk, Pressure Evolution of Glass Transition Temperature in LiFePO₄, J. Phys. Chem. Lett. 13, 7269-7273 (2022).

To wynik współpracy zespołów IWC PAN (X-PressMatter/NL10 i NL3) oraz Wydziału Fizyki Politechniki Warszawskiej (JEG). Praca dotyczy LiFePO₄, materiału szczególnie ważnego dla nowych generacji akumulatorów energii elektrycznej. Jednym z kierunków badawczo-rozwojowych jest tu wykorzystanie opartych na tym materiale elektrod w postaci amorficznego szkła. Wykorzystanie procesu wysokociśnieniowego i wysokotemperaturowego wygrzewania pozwala na jakościowe zwiększenie przewodności elektrycznej. To także możliwość kontroli procesów nanokrystalizacji w amorficznej matrycy. Wreszcie, to droga w kierunku praktycznie nieskończonej trwałości elektrod.

Kluczowe jest tu określenie ciśnieniowej zależności zmian temperatury przejścia w stan szkła T_g (P). Cytowana praca określa tę relację, aż do P~1.5GPa. Unikalną cechą otrzymanej zależności jest maksimum T_g (P) czyli transformacja z ‘klasycznego’ obszaru opisywanego przez dT_g/dP>0 do obszaru ‘anomalnego’ opisywanego przez dT_g/dP<0. W pracy zastosowany jest skuteczny modelowy opis tego zjawiska, wcześniej opracowany także w X-PressMatter.

Wynik ten posiada też szczególne znaczenie dla całej fizyki szkieł: to w istocie pierwsza jednoznaczna demonstracja doświadczalna ‘odwróconej’ ciśnieniowej witryfikacji i to wraz z efektywną parametryzacją. To także wskazanie, że wysokie ciśnienia – czyli specjalność IWC PAN -  mogą stać się jednym z innowacyjnych kluczy dla pokonania wielkiego wyzwania Kryzysu Energetycznego.

W dniu 29 czerwca 2022, Rada Naukowa IWC PAN nadała stopień doktora habilitowanego w dziedzinie nauk ścisłych i przyrodniczych w dyscyplinie nauki fizyczne, Julicie Smalc-Koziorowskiej oraz Maciejowi Sakowiczowi. Obydwoje doktorzy habilitowani otrzymali znakomite recenzje swojego dorobku badawczego i wkroczyli na nową drogę kariery naukowej.

Osiagnięcie Julity poddane recenzji to:

“Błędy ułożenia w epitaksjalnych warstwach azotkowych i ich interakcja z innymi defektami struktury krystalicznej”

Osiągnięcie Macieja nosiło tytuł:

„Fizyka półprzewodnikowych detektorów i źródeł światła podczerwonego.”

Serdeczne gratulacje i życzenia wielu fascynujących naukowych przygód!

In the last week of June, ICPS-2022 will take place in Sydney (Australia). It is the world's largest and most prestigious conference on various aspects of semiconductor physics.

We are very pleased to see among the invited speakers our colleague Dr. Julita Smalc-Koziorowska. Julita is a specialist in the physics of semiconductor structure defects. Her research interests span transmission electron microscopy characterization of semiconductor structures with a special focus on tracking the mechanism of defect introduction in epitaxial nitride layers. Recently, she studied the mechanism of threading dislocation introduction from stacking fault domains in such layers.

Julita is a specialist in the physics of defects in semiconductor crystals and structures. At the Conference, she will be talking on the role of metal vacancies in thermal degradation of InGaN.