Instytut Wysokich Ciśnień

Z satysfakcją zawiadamiamy, że w dniu 25 marca 2022, Rada Naukowa Dyscypliny Inżynieria Materiałowa Politechniki Warszawskiej nadała dr. inż. Mariuszowi Kulczykowi, Kierownikowi Laboratorium Plastyczności pod Wysokim Ciśnieniem IWC PAN stopień doktora habilitowanego.

Podstawą do ubiegania się o stopień naukowy doktora habilitowanego był cykl publikacji, w oparciu o który przedstawiony został autoreferat:

„Wpływ parametrów technologii przeróbki plastycznej metodą wyciskania hydrostatycznego na właściwości metali i stopów metali do zastosowań przemysłowych”

Porowaty GaN interesuje fizyków z uwagi na możliwość zmiany współczynnika załamania światła wraz z porowatością. Szczególnie ciekawe i praktyczne wydaje się użycie porowatych warstw GaN jako okładek w strukturze laserowej. Przykład takiej realizacji pokazali ostatnio nasi współpracownicy z Laboratorium Epitaksji MBE. W pracy „Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding”, która ukazała się w Optics Express (Open Access) przedstawiają oni teoretyczne rozważania na temat wpływu porowatości na przekrycie modu optycznego z obszarem aktywnym, a także szczegóły eksperymentalne wytworzenia niebieskich laserów z porowatą dolną warstwą okładkową. Charakterystyki laserów z porowatą okładką zestawione są z referencyjnymi przyrządami i pokazują, że konieczna jest kontrola strat związanych w wprowadzeniem warstwy porowatej, co motywuje do dalszych badań w tym obszarze.

https://opg.optica.org/oe/fulltext.cfm?uri=oe-30-7-10709&id=470430

---

Position of the Scientific Council of IHPP PAS on Russia's attack on Ukraine

The Scientific Council of the Institute of High Pressures of the Polish Academy of Sciences strongly condemns the armed attack of the Russian Federation on Ukraine. The inhumane decision taken by Russian President Vladimir Putin is a drastic violation of international law and an act of aggression against a sovereign state Ukraine. The unprovoked and unjustified attack carried out by Russia has already led to the death of innocent people and may further increase the scale of threats to the lives of more children, women and men. The traumatic experiences of World War II should sensitize us to the suffering and death caused by the war and remind us of the tragedy of passivity in stopping the aggressor.
The sense of security that has been built up for many years in Europe has been shattered. We call on the entire scientific community and all citizens of Russia and Belarus to protest and take all possible measures to restore peace in our part of Europe. We stand in solidarity with those Russians who, risking their lives and careers, are against the bloody dictatorship in their country. In particular, we are together with our Russian friends-scientists who take part in protests against aggression .
The Scientific Council of the Institute of High Pressures of the Polish Academy of Sciences stands in solidarity with and supports the Ukrainian nation defending its independence. We will try to do everything possible at present so that the long-term cooperation between Ukrainian and Polish scientists can continue to develop fruitfully for the benefit of both our nations.

W toku ciekawych badań prowadzonych przez Kacpra Sierakowskiego z Kolegami z NL 3, określone zostały mechanizmy dyfuzji berylu (Be) w kryształach azotku galu (GaN) rosnących w kierunkach krystalograficznych [0001], [10-10] oraz [11-20].

Azotek galu krystalizowano metodą halide vapor phase epitaxy (HVPE) używając natywnych zarodzi  amonotermalnych o zadanej orientacji. Wykrystalizowane warstwy HVPE-GaN zostały zaimplantowane jonami berylu. W celu usunięcia zniszczeń poimplantacyjnych i aktywacji Be, warstwy zostały wygrzane w wysokich temperaturach (>1200°C), w atmosferze azotu pod ciśnieniem 1GPa. Efektem towarzyszącym procesowi wygrzewania była dyfuzja Be do wnętrza kryształu.

Zaobserwowano znaczące różnice między profilami dyfuzyjnymi w trzech analizowanych kierunkach krystalograficznych. Różnice wynikały z różnych koncentracji i rodzaju defektów punktowych w kryształach rosnących w różnych kierunkach krystalograficznych.

Publikacja: