Ważne wydarzenia

Start

Dr hab. Julita Smalc-Koziorowska Dr hab. Maciej Sakowicz GRATULACJE !!!

Czwartek, 30 Czerwiec 2022 20:52 |

Od prawej: dr hab. Julita Smalc-Koziorowska, dr hab. Maciej Sakowicz. Zdjęcie z Konferencji ICPS, Sydney 2022.

W dniu 29 czerwca 2022, Rada Naukowa IWC PAN nadała stopień doktora habilitowanego w dziedzinie nauk ścisłych i przyrodniczych w dyscyplinie nauki fizyczne, Julicie Smalc-Koziorowskiej oraz Maciejowi Sakowiczowi. Obydwoje doktorzy habilitowani otrzymali znakomite recenzje swojego dorobku badawczego i wkroczyli na nową drogę kariery naukowej.

Osiagnięcie Julity poddane recenzji to:

“Błędy ułożenia w epitaksjalnych warstwach azotkowych i ich interakcja z innymi defektami struktury krystalicznej”

Osiągnięcie Macieja nosiło tytuł:

„Fizyka półprzewodnikowych detektorów i źródeł światła podczerwonego.”

Serdeczne gratulacje i życzenia wielu fascynujących naukowych przygód!

ICPS 2022 - Invited lecture from Unipress. Congratulations for Julita Smalc-Koziorowska

Poniedziałek, 20 Czerwiec 2022 08:40 |

In the last week of June, ICPS-2022 will take place in Sydney (Australia). It is the world's largest and most prestigious conference on various aspects of semiconductor physics.

We are very pleased to see among the invited speakers our colleague Dr. Julita Smalc-Koziorowska. Julita is a specialist in the physics of semiconductor structure defects. Her research interests span transmission electron microscopy characterization of semiconductor structures with a special focus on tracking the mechanism of defect introduction in epitaxial nitride layers. Recently, she studied the mechanism of threading dislocation introduction from stacking fault domains in such layers.

Julita is a specialist in the physics of defects in semiconductor crystals and structures. At the Conference, she will be talking on the role of metal vacancies in thermal degradation of InGaN.

Trawienie elektrochemiczne GaN:Mg opublikowane w Acta Materialia Gratulacje dla Natalii Fiuczek i Zespołu NL 14 !

Środa, 18 Maj 2022 19:38 |

Dobre zrozumienie i powtarzalność procesu trawienia elektrochemicznego (ECE) GaN typu n sprawiły, że technika ta stała się interesującą metodą kontroli współczynnika załamania światła warstw GaN poprzez zmianę ich porowatości. Jednak w przypadku GaN typu p, wydaje się, że brak modelu i zrozumienia procesu stanowiły istotną przeszkodę w demonstracji trawienia ECE GaN p-typu w kontrolowany sposób. W pracy N. Fiuczek et al. „Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection”, opublikowanej ostatnio w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia autorzy tłumaczą mechanizm trawienia p-typu oraz pokazują, że zastosowanie złącza tunelowego pozwala na bardzo efektywne wstrzykiwanie nośników potrzebnych do trawienia.

Więcej…

Award-winning paper of our young Researcher

Wtorek, 26 Kwiecień 2022 08:12 |

We are pleased to announce the success of Karolina Grabianska at LEDIA’22 Conference held in Yokohama, Japan, 21‑22.04.2022! Karolina received the Masahito Yamaguchi Student's Paper Award for her invited paper entitled "On Stress-Induced Polarization Effect in Ammonothermally-grown GaN crystals".

We are very proud of our PhD student!

Fizyka ciekłych kryształów. Wyróżniona praca w Soft Matter – Gratulacje dla Autorów z X-PressMatter

Piątek, 24 Czerwiec 2022 13:41 |

W Laboratorium X-PressMatter w Celestynowie-Lasku, w ramach pracy doktorskiej realizowanej przez panią mgr inż. Joannę Łoś, a przygotowywanej pod kierunkiem promotora dr hab. Aleksandry Drozd-Rzoska, powstała właśnie publikacja pt. Fluctuations-driven dielectric properties of liquid crystalline octyloxycyanobiphenyl and its nanocolloids, autorstwa J. Łoś, A. Drozd-Rzoska, S. J. Rzoska, S. Starzonek, K. Czupryński, Soft Matter 18, 4502 (2022), która to publikacja została wyróżniona przez Edytorów Royal Society of Chemistry okładką danego numeru, m.in. z uwagi na zaproponowany w pracy nowy sposób przeprowadzenia, czułej na subtelne zaburzenia, analizy różniczkowej oraz pierwszą –obserwację ‘odwrotnego, anomalnego’ sprzężenia translacyjno-orientacyjnego i krytycznej anomalii dla dystrybucji czasów relaksacji.

Zawiadomienie o publicznej obronie rozprawy doktorskiej mgr inż. Katarzyny Pieniak

Środa, 01 Czerwiec 2022 00:07 |

Dnia 14 czerwca 2022 r. (wtorek) o godz. 13:00 odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż.
Katarzyny Pieniak.

Temat rozprawy: „Fotoluminescencja i elektroluminescencja w strukturach InGaN w warunkach działania ciśnienia
hydrostatycznego i zmiennych pobudzeń optycznych i elektrycznych”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska

Recenzja 1

Recenzja 2

Wojtek Knap LAUREATEM konkursu ERC AdG. To wielki sukces. Gratulacje!!!

Czwartek, 28 Kwiecień 2022 15:58 |

W listopadzie 2021 dowiedzieliśmy się, że Prof. Wojtek Knap, szef Międzynarodowej Agendy Badawczej CENTERA działającej w IWC PAN otrzymał z Europejskiej Rady ds. Badań Naukowych (ERC), bardzo pozytywne recenzje swojego projektu Towards On-Chip Plasmonic Amplifiers Of THz Radiation o akronimie TERAPLASM, w konkursie Advanced Grants. Został zaproszony do II etapu konkursu, w ramach którego zaprezentował swój projekt przed Komisja Ekspertów panelu PE3.

Znając naukową wartość projektu oraz talent Wojtka w przekonującym przekazywaniu ważnych, naukowych treści, szacowaliśmy wtedy, że prawdopodobieństwo sukcesu jest BARDZO WYSOKIE !

Mieliśmy rację! W dniu 26 kwietnia Europejska Rada ds. Badań Naukowych (ERC) ogłosiła wyniki najbardziej prestiżowego konkursu grantowego w Europie, ERC Advanced. Profesor Wojtek Knap znalazł się wśród Laureatów.

Jesteśmy dumni z naszego Kolegi i serdecznie Mu gratulujemy!

Trzeba brać z Niego przykład! Zwłaszcza, że Grant Wojtka jest jedynym projektem z Polski na Liście Laureatów tego prestiżowego konkursu.

Więcej informacji:
ERC - Centera

VIth Winter Workshop Kalatówki 2022

Piątek, 08 Kwiecień 2022 19:20 |

We are happy to announce our VIth Winter Workshop Kalatówki 2022. This event will gather around 30 researchers from Institute of High Pressure Physics PAS, and guests from collaborating scientific institutes. We will have agreat pleasure to host such a distinguished guest as:
Prof. Åsa Haglund from Chalmers University of Technology - Sweden
Prof. Detlef Hommel from PORT- Łukasiewicz
Prof. Ulrich Schwarz from Chemnitz University.
The workshop will cover many areas of nitride-semiconductors optoelectronics including laser diode, light emitting diodes, photonics integrated circuits, device processing and epitaxy.

Więcej artykułów…