Instytut Wysokich Ciśnień

Z głębokim żalem i smutkiem zawiadamiamy, że 21 sierpnia 2024 roku odeszła od nas dr inż. Małgorzata Iwińska, absolwentka Wydziałów Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego oraz Politechniki Warszawskiej; ceniona i szanowana specjalistka w dziedzinie krystalizacji półprzewodników.

Gosia pozostanie na zawsze w naszych sercach i myślach. Jej odejście to wielka strata dla naukowego świata, a także dla wszystkich, którzy mieli zaszczyt ją znać i z nią pracować.

Małgosia była osobą pełną pasji, zaangażowania i oddania dla swojej pracy. Jej wkład w rozwój nauki i technologii na długo pozostanie w pamięci.

Spoczywaj w pokoju, Gosiu.

Koleżanki i Koledzy z IWC PAN

Plastycznie zrelaksowane warstwy InGaN stanowią obiecującą perspektywę dla uzyskania objętościowych podłoży o stałej sieci zwiększonej w stosunku do podłoży GaN. Prace nad tego typu strukturami prowadzone są w laboratorium NL-12. Z przyjemnością ogłaszamy niedawną publikację artykułu J. Moneta et al. "Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN" w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia, gdzie autorzy opisują wpływ dezorientacji podłoża GaN na procesy relaksacji naprężeń warstw InGaN. Badania wskazują, że powszechnie wykorzystywana metodyka badania stopnia relaksacji warstw epitaksjalnych o strukturze wurcytu może prowadzić do dużych błędów pomiarowych i mylnych wniosków. Przez wzgląd na występujące deformacje sieci krystalicznej konieczna jest zaawansowana charakteryzacja XRD. Zapraszamy do zapoznania z artykułem.

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej ogłosiła wczoraj wyniki pierwszego naboru wniosków (1/2023) w działaniu FIRST TEAM finansowanym z programu Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki (FENG).

Projekt dr inż. Grzegorza Muzioła „Monolityczna integracja wielokolorowych matryc mikro- i nano-LEDów” został bardzo wysoko oceniony i znalazł się na liście 27 dofinansowanych projektów (złożono 202 projekty, współczynnik sukcesu: 13,36%). Projekt będzie realizowany w Laboratorium Epitaksji MBE w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN. Gratulujemy!

Działanie FIRST TEAM umożliwia zdobycie finansowania na założenie zespołu badawczego i prowadzenie w Polsce innowacyjnych badań z potencjałem aplikacyjnym. Więcej o programie i wynikach na stronie FNP.

Magnetic or nonmagnetic substitution generally plays a significant role on the properties of a superconductor. It can induce disorder into the crystal, produce the impurity scattering, and cause a Cooper pairbreaking effect. Recently, Dr. Singh's research team from NL-6 has published a research paper that explores the non-magnetic Cu impurity effect on the high T_c iron-based superconductor through various types of measurements and analysis, including DFT calculations. This study concludes that the substitution of Cu in the superconducting FeAs layer results in the enlargement of the lattice volume and is a source of strong disorder scattering that leads to the suppression of superconducting properties and the emergence of a metal-to-insulator transition.

This paper is published by M. Azam, M. Manasa, T. Zajarniuk, T. Palasyuk, R. Diduszko, T. Cetner, A. Morawski, C. Jastrzebski, M. Wierzbicki, A. Wiśniewski, Shiv J. Singh entitled “Copper doping effects on the superconducting properties of Sm-based oxypnictides” J. Am. Ceram. Soc. 2024;1–15. https://doi.org/10.1111/jace.19936

Fig. The variation of (A) the onset transition temperature (T_c^onset), (B) the transition width (ΔT = T_c^onset – T_c^offset), and (C) Residual resistivity ratio (RRR = ρ_{300 K}/ρ_{60 K}) of SmFe_1−xCu_xAsO_0.8F_0.2 with the nominal doping contents (x) compared to the reported Ni and Ru doping contents.