Institute of High Pressure Physics

---

Position of the Scientific Council of IHPP PAS on Russia's attack on Ukraine

The Scientific Council of the Institute of High Pressures of the Polish Academy of Sciences strongly condemns the armed attack of the Russian Federation on Ukraine. The inhumane decision taken by Russian President Vladimir Putin is a drastic violation of international law and an act of aggression against a sovereign state Ukraine. The unprovoked and unjustified attack carried out by Russia has already led to the death of innocent people and may further increase the scale of threats to the lives of more children, women and men. The traumatic experiences of World War II should sensitize us to the suffering and death caused by the war and remind us of the tragedy of passivity in stopping the aggressor.
The sense of security that has been built up for many years in Europe has been shattered. We call on the entire scientific community and all citizens of Russia and Belarus to protest and take all possible measures to restore peace in our part of Europe. We stand in solidarity with those Russians who, risking their lives and careers, are against the bloody dictatorship in their country. In particular, we are together with our Russian friends-scientists who take part in protests against aggression .
The Scientific Council of the Institute of High Pressures of the Polish Academy of Sciences stands in solidarity with and supports the Ukrainian nation defending its independence. We will try to do everything possible at present so that the long-term cooperation between Ukrainian and Polish scientists can continue to develop fruitfully for the benefit of both our nations.

W toku ciekawych badań prowadzonych przez Kacpra Sierakowskiego z Kolegami z NL 3, określone zostały mechanizmy dyfuzji berylu (Be) w kryształach azotku galu (GaN) rosnących w kierunkach krystalograficznych [0001], [10-10] oraz [11-20].

Azotek galu krystalizowano metodą halide vapor phase epitaxy (HVPE) używając natywnych zarodzi  amonotermalnych o zadanej orientacji. Wykrystalizowane warstwy HVPE-GaN zostały zaimplantowane jonami berylu. W celu usunięcia zniszczeń poimplantacyjnych i aktywacji Be, warstwy zostały wygrzane w wysokich temperaturach (>1200°C), w atmosferze azotu pod ciśnieniem 1GPa. Efektem towarzyszącym procesowi wygrzewania była dyfuzja Be do wnętrza kryształu.

Zaobserwowano znaczące różnice między profilami dyfuzyjnymi w trzech analizowanych kierunkach krystalograficznych. Różnice wynikały z różnych koncentracji i rodzaju defektów punktowych w kryształach rosnących w różnych kierunkach krystalograficznych.

Publikacja:

ANNUAL REPORT IHPP PAS 2021

W dniu 8 lutego 2022 r. odbędzie się w naszym Instytucie, coroczne Sympozjum Sprawozdawcze. Z oczywistych przyczyn, spotkamy się online na platformie Zoom: https://us02web.zoom.us/j/84987839803

Program Sympozjum

W dniach 11-13 stycznia odbyło się Sympozjum naukowe ISWGPDs 2022 (The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation). Sympozjum prowadzone było w trybie hybrydowym: w Nagoyi (Japonia) oraz zdalnie.

W sympozjum wzięli udział Koledzy z IWC PAN jako „Keynote and invited speakers”. Staszek Krukowski oraz Konrad Sakowski wygłosili wykłady na temat teoretycznego modelowania ładunku polaryzacyjnego w urządzeniach UV oraz metody szacowania stałych rekombinacji ABC na podstawie analizy eksperymentalnych wyników czasowo-rozdzielczej katodoluminescencji.