Instytut Wysokich Ciśnień

Dnia 10 października 2025 r. (piątek) o godz. 12:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż.Julii Sławińskiej.

Temat rozprawy: Ion implanted (In,Ga)N micro-light-emitting diodes with tunnel junction

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN

Izotropia sprężysta to zjawisko, w którym materiał reaguje jednorodnie na naprężenie, niezależnie od jego kierunku. W przypadku kryształów sześciennych (materiałów o strukturze kubicznej), które posiadają wyraźne kierunki krystalograficzne, stanowi to niezwykły przejaw mechaniki kwantowej w obiektach makroskopowych. Takiego zachowania kryształu nie da się wyjaśnić w ramach fizyki klasycznej. Zjawisko to jest ściśle związane z równoważeniem sił wewnętrznych wynikających z oddziaływań Coulomba, odpychania Pauliego oraz nakładania się pasm pod wpływem naprężenia na kryształ.

W niedawno opublikowanej pracy C. Sobczak, P. Kwasniak, P. Strak, M. Muzyk, S. Krukowski, "Elastic Anisotropy in BCC Ti-X Alloys (X = V, Nb, Ta) Determined from First Principles" opublikowanej w Materials, 2025, 18(18), 4294 nasz doktorant Cyprian Sobczak opisał anizotropię kryształów stopów tytanu. Praca powstała we współpracy grupy teoretyków z naszego Instytutu i z Uniwersytetu Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie.

Rezultatem pracy jest identyfikacja nowego stopu tytanu z niobem o zawartości 53% niobu, Ti-53Nb, wykazującego izotropię sprężystą. Obliczenia pokazały też, że w przypadku stopów tytanu z tantalem, Ti-Ta, zjawisko to nie może wystąpić w zakresie stabilności mechanicznej tych stopów. Publikacja zawiera podsumowanie głównych trendów wykazywanych przez stałe sprężystości, moduł Younga i moduł sprężystości objętościowej omawianych stopów na bazie Ti, w oparciu o metody ab initio. Więcej szczegółów w publikacji.

Rysunek. Porównanie trendów obserwowanych w stopach Ti-X (X = V, Nb, Ta, Mo): (a) stała sprężystości C11, (b) stała sprężystości C12, (c) stała sprężystości C44, (d) C′ = (C11 − C12)/2, (e) moduł sprężystości objętościowej B i (f) moduł Younga E, wyznaczony metodą PBE.

At the upcoming EMRS Fall Meeting 2025, in Symposium I - Frontiers of imaging and spectroscopy in transmission electron microscopy, dr hab. inż. Julita Smalc-Koziorowska will present an invited paper entitled. "Revealing defects in nitride semiconductor structures in TEM".

The 2025 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS) will take place from September 15 to 18, 2025 at the main campus of the University of Technology in Warsaw (Poland) and will consist of 23 parallel symposia with invited speakers, oral and poster presentations assorted by one plenary session to provide an international forum for discussing recent advances in the field of materials science.

One of the most formidable barriers in development of nitride-based optoelectronic devices: laser diodes (LDs) and light emitting diodes (LEDs) is high resistance of the metal/p-type nitride contact. The present date solutions are mostly based on Ni/Au contact still they are far from satisfactory. The situation requires basic investigations of the contact nature and technical implementation of new designs. Researchers from IHPP PAS applied complex ab initio and drift-diffusion calculation to elucidate contact nature. The results obtained include:

• elucidation of basic nature of the contact,
• evidence that in any metal/p-type GaN contact there exist tunneling barrier,
• explanation of the role of oxygen-ambient annealing during formation of the Ni-Au contact,
• new design, based on multilayer arrangement of deep acceptors, to achieve low resistance contact.

These results were published in the paper in Electronics vol. 14, p. 3309 (2025): Fundamentals of Metal Contact to p-Type GaN—A New Multilayer Energy-Saving Design Konrad Sakowski, Cyprian Sobczak, Pawel Strak, Stanislaw Krukowski

This study opens a new possibility of application of the new design by implantation formation of the low resistance electric contacts in the near future.