Instytut Wysokich Ciśnień

Naukowcy z naszego Instytutu wygłoszą pięć referatów zaproszonych oraz pięć prezentacji ustnych na międzynarodowej konferencji SPIE Photonics West w San Fransisco (California, United States) w dniach 28.01.-02.02.2023.

Referaty zaproszone:

1. Recent progress in bulk GaN crystal growth technology (Invited Paper) – Małgorzata Iwińska et al.
2. Influence of threading dislocations on performance of InGaN laser diodes – Agata Bojarska-Cieślińska et al.
3. Ion implantation of acceptors into gallium nitride (Invited Paper) - Kacper Sierakowski et al.
4. Properties of III-nitride wide quantum wells and their application to optoelectronic devices (Invited Paper) - Greg Muziol et al.
5. Tunnel junctions for new architecture of III-N devices (Invited Paper) – Czesław Skierbiszewski

Prezentacje ustne:

1. Properties of implanted InGaN micro-LEDs with tunnel junctions - Julia Slawinska et al.
2. Ultra-compact low-loss GaN waveguides for potential large-scale Photonic Integrated Circuit (PICs) applications - Kiran Saba et al.
3. Fundamental features of a Pd-based contact on p-GaN - Iryna Levchenko et al.
4. Visible InGaN laser diodes with polarization-doped p-type layers – Piotr Perlin et al.
5. Ge doping for strain-free cladding layers in InGaN/GaN lasers - Piotr Perlin et al.

Program konferencji Photonics West i streszczenia poszczególnych prezentacji można przejrzeć na stronie: https://spie.org/conferences-and-exhibitions/photonics-west/program/browse-program