Mechanizmy powstawania dyslokacji przechodzących w warstwach epitaksjalnych Ga(InAl)N – publikacja w Scientific Reports
Monday, 19 October 2020 13:29 |
Julita Smalc-Koziorowska („corresponding author”) i Joanna Moneta z NL-12, wraz z Kolegami z Grecji, Norwegii i Algierii, w pracy opublikowanej w tych dniach, w Scientific Reports (140 pkt MNiSW), wyjaśniają mechanizmy powstawania najważniejszych defektów strukturalnych w sieci krystalicznej warstw epitaksjalnych azotków III-N. Modele nukleacji dyslokacji przechodzących konstruowane są na podstawie szczegółowej analizy struktur warstwowych metodami wysokorozdzielczej mikroskopii elektronowej oraz obliczeń teoretycznych. Badane struktury były otrzymane w IWC PAN metodą MBE z plazmowym źródłem azotu.
Julita Smalc-Koziorowska („corresponding author”) i Joanna Moneta z NL-12, wraz z Kolegami z Grecji, Norwegii i Algierii, w pracy opublikowanej w tych dniach, w Scientific Reports (140 pkt MNiSW), wyjaśniają mechanizmy powstawania najważniejszych defektów strukturalnych w sieci krystalicznej warstw epitaksjalnych azotków III-N. Modele nukleacji dyslokacji przechodzących konstruowane są na podstawie szczegółowej analizy struktur warstwowych metodami wysokorozdzielczej mikroskopii elektronowej oraz obliczeń teoretycznych. Badane struktury były otrzymane w IWC PAN metodą MBE z plazmowym źródłem azotu.
