- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
„Micro i nano diody elektroluminescencyjne InGaN/GaN. Wpływ wymiarów struktury na mechanizmy generacji i propagacji fotonów”
Zakończenie Projektu OPUS
W dniu 17 lutego 2020 zakończono realizację Projektu Narodowego Centrum Nauki OPUS:
„Micro i nano diody elektroluminescencyjne InGaN/GaN. Wpływ wymiarów struktury na mechanizmy generacji i propagacji fotonów”
Kierownikiem Projektu był prof. dr hab. Tadeusz Suski
Mikroemitery światła z obszaru widzialnego stanowią bardzo ważną klasę przyrządów optoelektronicznych stosowanych w szerokiej gamie aplikacji; od wysoko kontrastowych ekranów po reflektory samochodowe ze sterowanym polem oświetlenia. W Instytucie Wysokich Ciśnień PAN wytworzono wysokowydajne mikrodiody działające w obszarze światła niebieskiego. Opracowana technologia umożliwia przygotowanie emiterów z innych obszarów widmowych.
Główne wyniki Projektu:
- Opracowanie technologii uzyskiwania mikronowych i submikronowych struktur InGaN/GaN z pojedynczymi, wielokrotnymi oraz podwójnymi-sprzężonymi studniami kwantowymi:
- Wybór technologii „top-down”. Dobór warunków maskowania, selektywnego naświetlania i trawienia struktur.
- Opracowanie efektywnej metody trawienia ścianek bocznych mikrosłupków w celu eliminacji defektów powierzchniowych, pełniących role centrów nieradiacyjnych redukujących efektywność luminescencji;
- Uzyskanie efektywnych mikrodiod elektroluminescencyjnych w dwóch technologiach z tradycyjnym złączem p-n i ze złączem tunelowym;
- Wybór technologii nakładania kontaktów elektrycznych;
- Opracowanie technologii wytwarzania mikrodiod ze złączem tunelowym definiującym obszar przepływu prądu elektrycznego indukującego emisję światła (eliminacja rozpływu prądu, tzn. utraty nośników do obszarów nieaktywnych w procesie emisji światła).
- Przeprowadzenie cyklu badań mających na celu ocenę porównawczą efektywności emisji światła z mikrodiod „słupkowych” o różnej średnicy (5-100 mikrometrów): określenie zależności od średnicy mikrodiody: energii (długości fali), intensywności emitowanego światła oraz wewnętrznej wydajności kwantowej emitera.
|
|
Od góry: Z lewej strony: Struktura mikro-diody LED ze złączem tunelowym. Z prawej strony: elektroluminescencja (EL) dla mikro-diod o różnych średnicach. Poniżej: z lewej strony: Widma EL prawej strony: zależność energii EL od gęstości zasilającego prądu. Widoczne jest identyczne zachowanie przyrządów , o różnych średnicach. |