Institute of High Pressure Physics

W ostatnich dniach ukazała się on-line, w Applied Surface Science, interesująca publikacja, w której Pawel Kempisty, Pawel Strak, Konrad Sakowski, Yoshihiro Kangawa i Staszek Krukowski analizują zachowanie atomu glinu na polarnych powierzchniach rosnącego kryształu AlN. Okazuje się, że pozycja zaadsorbowanych atomów Al oraz energia związana z procesem adsorpcji, w sposób zasadniczy, zależy od stopnia pokrycia powierzchni wzrostu atomami Al. Wyniki pracy naszych Kolegów mogą wywrzeć bardzo istotny wpływ na rozumienie i kontrolę procesów krystalizacji AlN i innych półprzewodników azotkowych.

Link do treści publikacji