Instytut Wysokich Ciśnień

W lutym w San Francisco odbędzie się tegoroczny Photonics West. Zostaliśmy zaproszeni do wygłoszenia referatu na temat wzrostu azotku galu metodą HVPE na podłożach typu Smart Cut^TM na konferencji Gallium Nitride Materials and Devices XI.

Wykład pt. HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart Cut^TM będzie zaprezentowany przez Gosię Iwińską. Będziemy również reprezentowani przez Łucję Maronę z wykładem Comparison of high indium content InGaN quantum wells grown on c and (20-21) planes by means of time resolved photoluminescence with applied bias oraz Michała Boćkowskiego z prezentacją  Challenges and future perspectives in HVPE-GaN growth.