Instytut Wysokich Ciśnień

Z przyjemnością informujemy, że wśród 5 projektów (na 59 złożonych) zakwalifikowanych do finansowania w I konkursie w ramach Współpracy państw grupy Wyszechradzkiej i Japonii (V4-Japan Joint Research Program) jest nasz Projekt WISEGaN: New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics.

Projekt będzie koordynowany przez prof. Michała Leszczyńskiego, a Partnerami Projektu są: Uniwersytet Nagoya z głównym Wykonawcą prof. Hiroshi Amano (Laureat Nagrody Nobla 2014) oraz Uniwersytet Karola w Pradze z głównym Wykonawcą prof. Vaclavem Holy, światowej sławy specjalistą w dziedzinie badań rentgenowskich.

Celem Projektu WISEGaN jest stworzenie podstaw technologicznych wykonywania nowych generacji materiałów AlGaInN do zastosowań w optoelektronice (lasery, LED-y) oraz fotowoltaice. Niezwykle ważnym elementem Projektu będzie zbadanie w skali mikroskopowej mechanizmów tworzenia defektów strukturalnych, które obniżają parametry przyrządów.

Technologie proponowane w Projekcie zostały uznane za atrakcyjne przez naszych Partnerów H. Amano i V. Holy, a następnie przez Recenzentów japońskich (merytorycznie granty były oceniane w Japonii). Technologie te bazują na unikatowej w skali światowej metodzie opracowanej przez naszego Pracownika dra Marcina Sarzyńskiego kształtowania przestrzennego (lateral patterning), a także polskiej technologii wytwarzania kryształów podłożowych GaN i diod laserowych.

Liczymy, że realizacja Projektu WISEGaN doprowadzi do wielu nowych wyników naukowych, do nowych technologii, a współpraca ze znakomitymi Partneramipozwoli nam na istotne wzbogacenie naszego potencjału badawczego.