

- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
Zrób doktorat z fizyki!!!
|
|
Więcej... |
IHPP PAS Doctoral Seminar / Nitride Seminar![]() Dear Colleagues, We are pleased to invite you to a joint seminar at IHPP PAS between Doctoral Seminars and Seminar on Nitride Semiconductors. The presentation will be held in a hybrid mode – at the seminar room in New Technologies building, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ). The talk is scheduled on Tuesday 27.05.2025 at 15:00 CEST. Speaker: Ewa Grzanka (Institute of High Pressure Physics PAS, Warsaw, Poland) Title: Influence of growth and annealing conditions on microstructural and optical properties of InGaN quantum wells used in optoelectronic devices Abstract: Link The seminar is devoted to the presentation of scientific results obtained during the preparation of the doctoral dissertation. Sincerely, Stanisław Krukowski Stypendia FNP START 2025![]() Z dumą informujemy, że wśród nagrodzonych stypendium START Fundacji na rzecz Nauki Polskiej (FNP) znaleźli się Mikołaj Chlipała oraz Mateusz Hajdel z Laboratorium Epitaksji MBE naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Serdecznie gratulujemy wszystkim laureatom! Lista 100 najzdolniejszych młodych naukowców - laureatów konkursu START 2025 została właśnie ogłoszona na stronie internetowej FNP. W konkursie nagrodzeni zostali badacze i badaczki przed trzydziestką, którzy mimo młodego wieku mogą pochwalić się wybitnym dorobkiem naukowym. Program START FNP jest najstarszym w Polsce programem stypendialnym. Jego celem jest wspieranie wybitnych młodych uczonych i zachęcanie ich do dalszego rozwoju naukowego. Więcej o programie START pod linkiem. Zagadka kryształów![]() Dziś w radiowej Trójce o 9:05 w audycji Katarzyny Stoparczyk "Zagadkowa niedziela" będzie można usłyszeć głos Marty Sawickiej z naszego Instytutu oraz Amandy Kierun, utalentowanej pianistki i skrzypaczki. Czy uda się wyjaśnić dzieciom czym jest epitaksja, kryształy i cleanroom? Audycja edukacyjna dla najmłodszych i ich rodziców FIRST TEAM dla dr hab. Henryka Turskiego![]() Fundacja na rzecz Nauki Polskiej (FNP) ogłosiła wyniki konkursu FIRST TEAM finansowanym z programu Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki (FENG). Celem tego programu jest umożliwienie młodym badaczom stworzenia nowych zespołów, w których zatrudnienie znajdą młodzi naukowcy i które będą realizować innowacyjne badania z efektami mającymi praktyczne zastosowanie. Do naboru 1/2024 zgłoszono 174 projekty. Dofinansowanie na łączną kwotę 70 984 310,92 PLN złotych otrzymało 18 projektów (współczynnik sukcesu: 10,34%). W pierwszej trójce najwyżej ocenionych projektów znalazł się projekt dr hab. Henryka Turskiego, prof. IWC PAN z naszego Instytutu z Laboratorium Epitaksji MBE pt. „Epitaksja dwustronna: nowe podejście do integracji urządzeń półprzewodnikowych”. Serdecznie gratulujemy! Więcej szczegółów, w tym lista rankingowa projektów na stronie FNP. |
Publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Joanny Łoś![]() Dnia 26 maja 2025 r. (poniedziałek) o godz. 13:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Joanny Łoś. Temat rozprawy: „Charakterystyka zjawisk przedprzejściowych i dynamiki w materiałach ciekłokrystalicznych i ich nanokoloidach” Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN.
Projekt FENG - struktury GaN/AlGaN/SiC![]() Narodowe Centrum Badań i Rozwoju jako Instytucja Pośrednicząca dla Priorytetu I FENG 2021 zakończyła ocenę projektów złożonych w naborze nr FENG.01.01-IP.01-005/23 – Ścieżka SMART Projekty realizowane w konsorcjach. O projekty wnioskowały konsorcja z udziałem, lub bez udziału dużego przedsiębiorcy. W tej drugiej kategorii, na pierwszym miejscu listy rankingowej dofinansowanych projektów znalazł się projekt realizowany w konsorcjum SEEN Semiconductors Sp. z o. o. oraz grupa Prof. Michała Leszczyńskiego z NL-12 Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników. W ramach naboru złożono 566 wniosków o dofinansowanie, a 51 wniosków na kwotę 686 870 078,42 PLN zostało wybranych do dofinansowania. Tytuł Projektu: Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych. Akronim Projektu: "TranzGaN" Celem projektu jest opracowanie technologii wzrostu bufora przewodzącego AlGaN:Si na podłożach SiC metodą MOVPE. W tym celu zostanie przeprowadzona optymalizacja przepływu reagentów, temperatury, ciśnieniu wzrostu oraz dezorientacji podłoży SiC. Rezultatem tego ma być przygotowanie warstwy bufora o dobrej przewodności elektrycznej i jak najmniejsza gęstości dyslokacji w warstwie GaN wzrośniętej na tym buforze. Pozwoli to na produkcję epitaksjalnych struktur przyrządów wertykalnych jak tranzystory CAVET, diody p-i-n czy diody laserowe co znacznie poszerzy doświadczenie naukowe Instytutu. Wartość projektu: 4 455 429,57 zł Wysokość wkładu Funduszy Europejskich: 3 752 662,00 zł Publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. inż. Jakuba Kalabińskiego![]() Dnia 20 maja 2025 r. (wtorek) o godz. 14.00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. inż. Jakuba Kalabińskiego. Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN. |
Adresy |