- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
Solid State Physics Seminar 25.10.2024
Poniedziałek, 21 Październik 2024 12:11 |
Prof. dr hab. Izabella Grzegory from our Institute will give a lecture „High Pressure in Physics and Engineering of Hexagonal Boron Nitride” on Solid State Physics Seminar organized by the Faculty of Physics, University of Warsaw. Seminar will be held on October 25, 2024 at 10:15 in the stationary mode at the Faculty of Physics room 0.06. Detailed information and the abstract are available on the website: http://www.fuw.edu.pl/seminarium-fizyki-ciala-stalego.html Publikacja w Bioactive Materials IF=18.0
Piątek, 11 Październik 2024 15:23 |
Współpraca dwóch instytutów PAN (Instytutu Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN z Krakowa IMIM PAN oraz Laboratorium Plastyczności Pod Wysokim Ciśnieniem z naszego Instytutu IWC PAN) zaowocowała publikacją w prestiżowym czasopiśmie Bioactive Materials. Praca M. Gieleciak, A. Jarzębska, Ł. Maj, P. Petrzak, M. Kulczyk, Ł. Rogal, and M. Bieda „Influence of magnesium addition on microstructural and mechanical stability of hydrostatically extruded biodegradable zinc alloys” Bioactive Materials 44, 1 (2025) pokazuje wpływ wyciskania hydrostatycznego na właściwości biodegradowalnych stopów cynku z magnezem. Proces kształtowania właściwości z wykorzystaniem wysokich ciśnień wpływa bardzo efektywnie ich jednorodność oraz rozdrobnienie mikrostruktury (właściwości mechaniczne), a także stabilność termiczną w warunkach eksploatacyjnych (jako implant w żywym organizmie). Dualtronics - nowa koncepcja monolitycznej integracji urządzeń
Środa, 25 Wrzesień 2024 17:03 |
Naukowcy z Laboratorium Epitaksji MBE NL14 Instytutu Wysokich Ciśnień PAN (IWC PAN, Unipress) we współpracy z grupami z Cornell University (CU), opublikowali wyniki wspólnych badań w czasopiśmie Nature w artykule "Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices" autorstwa L. van Deurzen, E. Kim, N. Pieczulewski, Z. Zhang, A. Feduniewicz-Zmuda, M. Chlipala, M. Siekacz, D. Muller, H.G. Xing, D. Jena, H. Turski. Zademonstrowane urządzenie jest pierwszą monolityczną integracją źródła światła (diody elektroluminescencyjnej, LED) i tranzystora (tranzystora o wysokiej ruchliwości elektronów, HEMT), wytworzonych po przeciwnych stronach tego samego podłoża półprzewodnikowego. To nowatorska koncepcja w dziedzinie azotków, dlatego też autorzy wprowadzają termin "dualtronics", aby odróżnić ją od poprzednich rozwiązań. Dzięki zastosowaniu polarnego podłoża GaN - najwyższej dostępnej jakości wytworzonego w IWC PAN - autorzy byli w stanie wzmocnić zalety obu urządzeń, wykorzystując wbudowane pole elektryczne w strukturze GaN. Monolityczna integracja obu urządzeń na tym samym krysztale umożliwia pełne wykorzystanie powierzchni podłoża i pozwala na gęstsze upakowanie pikseli LED. Wzrost kryształów objętościowych GaN, przygotowanie ich powierzchni, obustronny wzrost epitaksjalny (schematycznie pokazany na poniższym rysunku) oraz wstępna charakteryzacja zostały przeprowadzone w IWC PAN. Struktury LED i HEMT zostały sprocesowane na CU, gdzie przeprowadzono też charakteryzację mikroskopową i monolityczną modulację emisji światła z diody LED przez HEMT. Praca stanowi obiecujący punkt wyjścia dla dalszego rozwoju dwustronnie zintegrowanych urządzeń optoelektronicznych i elektronicznych, i ma potencjał szerszego zastosowania nie tylko w systemie materiałów azotkowych grupy III. |
Konferencja "Lasery w medycynie i stomatologii"
Poniedziałek, 14 Październik 2024 15:31 |
Dnia 9 października 2024 na Uniwersytecie Medycznym we Wrocławiu odbyła się międzynarodowa konferencja p.t. "Lasery w medycynie i stomatologii". Wykład inauguracyjny wygłosił prof. Witold Trzeciakowski z naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Omówił on zalety laserów półprzewodnikowych i opisał wspólny projekt badawczy realizowany przez IWC PAN, Uniwersytet Medyczny we Wrocławiu oraz Warszawski Uniwersytet Medyczny. W tym projekcie IWC PAN dostarczał laserowe źródła światła niebieskiego, zielonego i czerwonego, a na uniwersytetach medycznych wykonywano badania (in vitro i kliniczne) z zastosowaniem tych laserów. Nowością było otrzymanie trzech długości fali lasera w światłowodzie co pozwalało na ciekawe badania oddziaływania promieniowania z tkanką. Projekt był przykładem owocnej współpracy interdyscyplinarnej, a jego efektem jest m. in. 9 publikacji w międzynarodowych pismach medycznych. W trakcie konferencji dokonano przeglądu zastosowań laserów w dermatologii, urologii, okulistyce, stomatologii i chirurgii. Program dostępny jest pod linkiem. Wykład i całą konferencję można odsłuchać na YouTube. Wystąpienie prof. Witolda Trzeciakowskiego od 14 do 50 minuty nagrania. Unipress Thursday Seminar
Czwartek, 03 Październik 2024 11:40 |
Badania w obszarze bioabsorbowalnych metali są niezwykle istotne, ponieważ materiały te mogą być wykorzystane do produkcji tymczasowych implantów, zastępujących implanty stałe, ograniczając w ten sposób niektóre szkodliwe skutki uboczne związane z ich długoterminowym przebywaniem w organizmie pacjenta. Jednym z najbardziej obiecujących materiałów do takiego zastosowania jest cynk (Zn) ze względu na jego optymalną szybkość korozji. Jednak właściwości mechaniczne czystego cynku są dalekie od akceptowalnych dla proponowanego zastosowania. Stopowanie z innymi pierwiastkami oraz dodatkowe odkształcenie plastyczne, takie jak wyciskanie hydrostatyczne (HE), może znacznie poprawić wytrzymałość materiału, umożliwiając tym samym zastosowania w ortopedycznych elementach mocujących, takich jak śruby do implantów kości. Serdecznie zapraszamy do udziału w otwartym seminarium Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, na którym wykład „Advanced zinc alloys for biomedical applications - Effect of plastic deformation by hydrostatic extrusion method on microstructure, mechanical and functional properties” wygłosi dr inż. Jacek Skiba z Laboratorium Plastyczności Pod Wysokim Ciśnieniem z naszego Instytutu. Seminarium odbędzie się w trybie on-line 31 października 2024 (czwartek) o godz. 15:00 przez platformę Zoom. Link do seminarium można uzyskać pisząc na adres dyrekcja@unipress.waw.pl Abstrakt pod linkiem. IWN 2024
Niedziela, 02 Czerwiec 2024 22:30 |
12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024) will be held this year in O'ahu, Hawai'i, on November 3-8, 2024. It is organized by Profs.Zlatko Sitar and Ramón Collazo. The IWN 2024 will bring together researchers from around the world to discuss the latest advances in the field of III-Nitride semiconductors. IWN 2024 will celebrate the achievements of Profs. Asif Khan and Russel Dupuis as honorary chairs. Prof. Czesław Skierbiszewski from our Institute was invited to give a plenary talk: „Tunnel Junctions for Novel Nitride Optoelectronic Devices”. |
Adresy |