

- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
Zrób doktorat z fizyki!!!
|
|
| Więcej... |
IHPP PAS Seminar on Nitride SemiconductorsDear Colleagues, We are pleased to invite you to the next IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The talk will be held in a fully remote mode – through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ). The talk is scheduled on Thursday 15.01.2026 at 15:00 CET. Speaker: Dr. Zhi Li (Tyndall National Institute, University College Cork, Ireland) Title: Understanding the wet etch process to polish the etched facets of InGaN-based lasers Abstract: Link Sincerely, Tadeusz Suski
Publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. Muhammeda AktaşDnia 9 stycznia 2026 r. (piątek) o godz. 12:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. Muhammeda Aktaş. Tytuł rozprawy: „Polarization Doping as a Method to Improve the Properties of InGaN-Based Laser Diodes and Light-Emitting Diodes” Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN. SPIE Photonics West 2026Naukowcy z naszego Instytutu zaprezentują prezentację przewodnią (keynote prezentation), cztery referaty zaproszone i jedną prezentację ustną na SPIE Photonics West 2026, największej na świecie konferencji dotyczącej technologii fotonicznych. Konferencja SPIE Photonics West 2026 będzie miała miejsce w dniach 19-22 stycznia 2026 w San Francisco (USA). Program równoległych konferencji: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXXIV tutaj, Gallium Nitride Materials and Devices XXI tutaj, a program konferencji Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXX pod linkiem. Piotr Perlin, Anna Kafar, Lucja Marona, Szymon Grzanka Challenges, successes, and future directions of nitride-based laser diodes (Keynote Presentation) Izabella Grzegory Thermodynamics and crystallization of hBN at high N2 pressure: comparison to High Nitrogen Pressure Solution growth of GaN (Invited Paper) Henryk Turski Using both faces of bulk GaN substrates for functional devices (Invited Paper) Henryk Turski Electrochemical etching for seamless micro-transfer printing of InGaN LEDs (Invited Paper) Anna Kafar, Adam Brejnak, Szymon Stanczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Jacek Kacperski, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Piotr Perlin (Al,In)GaN waveguides with low losses for blue light photonic integrated circuits (Invited Paper) Łucja Marona, Szymon Grzanka, Agata Bojarska Cieślińska, Piotr Perlin High-power single-mode greenl lasers enabled by InGaN-Based VECSELs (Oral presentation) Jaszowiec 2026W dniach 13-19 czerwca 2026 w Szczyrku w Polsce, odbędzie się konferencja 54th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2026". Od ponad pół wieku konferencja ta łączy polskie środowisko naukowe z czołowymi światowymi naukowcami, sprzyjając współpracy, inspirując wspólne projekty i budując międzynarodowe przyjaźnie. Konferencja Jaszowiec 2026 rozpocznie się dwudniową Szkołą (13–14 czerwca 2026 r.) pod przewodnictwem dr. hab. inż. Michała Baranowskiego z Politechniki Wrocławskiej, która skierowana jest głównie do studentów, doktorantów i młodych naukowców. Następnie odbędzie się Konferencja (15–19 czerwca 2026 r.) pod przewodnictwem prof. dr. hab. Piotra Perlina z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Program obejmie aktualne tematy badawcze, takie jak układy kwantowe i niskowymiarowe, oddziaływanie światła z materią, magnetyzm i zjawiska spinowe, przyrządy i zastosowania, oraz wzrost i charakteryzacja materiałów - prezentowane w formie wykładów plenarnych, sesji tematycznych oraz wieczornych dyskusji młodych naukowców. W edycji 2026 zaplanowano również wykłady przedstawicieli przemysłu, wystawę oraz targi pracy dla studentów. Aktualne informacje znajdują się na stronie konferencji https://www.jaszowiec.edu.pl/ |
Artykuł Editor's ChoiceZ przyjemnością informujemy, że artykuł P. Strak, P. Kempisty, K. Sakowski, J. Piechota, I. Grzegory, E. Monroy, A. Kaminska, S. Krukowski „Spontaneous and Piezo Polarization Versus Polar Surfaces: Fundamentals and Ab Initio Calculations” został wybrany jako Editor’s Choice Article w czasopiśmie Materials wydawanym przez MDPI. Decyzja ta została podjęta po wnikliwej ocenie dokonanej przez Redaktorów Naukowych czasopisma, którzy docenili artykuł za jego oryginalność naukową, znaczenie dla najnowszych kierunków badań, rygorystyczną argumentację oraz przejrzystą strukturę, a także za przewidywany szeroki oddźwięk i zainteresowanie środowiska naukowego. Praca przedstawia fundamentalne wnioski dotyczące współzależności pomiędzy polaryzacją spontaniczną i piezoelektryczną na powierzchniach polarnych, poparte analizą obliczeniową ab initio (z pierwszych zasad). Badanie to pogłębia zrozumienie wpływu zjawisk polaryzacji elektrycznej na właściwości i stabilność materiałów polarnych – zagadnienia o dużym znaczeniu dla badań nad materiałami elektronicznymi, optoelektronicznymi oraz energetycznymi. Gratulujemy autorom tego osiągnięcia i zachęcamy do zapoznania się z wynikami tej pracy. Wzmocnienie nadprzewodnictwa wywołane ciśnieniem w CaKFe₄As₄ z manganemCaKFe4As4 jest szczególnie interesującym nadprzewodnikiem stechiometrycznym, ponieważ w przeciwieństwie do większości nadprzewodników na bazie żelaza, wykazuje nadprzewodnictwo bez konieczności domieszkowania chemicznego. Ta wyjątkowa cecha sprawia, że jest on idealną platformą do badania efektów selektywnej substytucji pierwiastków w nadprzewodzących warstwach FeAs. Zespół badawczy prof. Shiva J. Singha (Laboratorium NL-6 Nadprzewodników i Technologii Wodorowych) przeprowadził systematyczne badania wpływu substytucji manganu (Mn) w połączeniu z syntezą pod wysokim ciśnieniem na właściwości nadprzewodzące CaKFe₄As₄. Objętościowe próbki CaK(Fe₁₋ₓMnₓ)₄As₄ domieszkowane manganem zostały otrzymane zarówno metodą konwencjonalnej syntezy w stanie stałym, jak i metodą syntezy pod wysokim ciśnieniem. Chociaż domieszkowanie Mn zazwyczaj tłumi nadprzewodnictwo w układach na bazie żelaza, wykazano, że zastosowanie syntezy wysokociśnieniowej częściowo przeciwdziała temu niekorzystnemu efektowi. W rezultacie zaobserwowano znaczny wzrost temperatury przejścia nadprzewodzącego (Tc) o około 3–7 K dla próbek z 2–3% Mn. Ponadto badania pokazały unikalne zachowanie CaKFe4As4 domieszkowanego Mn, gdzie wzrost Tc można osiągnąć dzięki połączonym efektom kontrolowanego domieszkowania i wysokiego ciśnienia. Więcej szczegółów można znaleźć w publikacji: Manasa Manasa, Mohammad Azam, Tatiana Zajarniuk, Svitlana Stelmakh, Tomasz Cetner, Andrzej Morawski i Shiv J. Singh zatytułowanej „Enhancement of the Superconducting Transition Temperature in Mn-doped CaKFe4As4 Processed by the High gas-pressure and High-temperature Synthesis Method” Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 39, 10 (2026).
Rysunek: Porównawcze podsumowanie temperatur przejścia nadprzewodzącego (Tc) dla materiałów CaK(Fe₁₋ₓMnₓ)₄As₄ wytworzonych metodą CSP w ciśnieniu otoczenia oraz metodą syntezy w wysokim ciśnieniu i temperaturze (HP-HTS), wraz z danymi literaturowymi dotyczącymi monokryształów CaKFe₄As₄ domieszkowanych manganem, wyhodowanych metodą konwencjonalną w ciśnieniu otoczenia [22], przedstawiono wraz ze stężeniem manganu (x). Wartości temperatury przejścia są określane na podstawie pomiarów oporności, R(T), i magnetycznych M(T). Referat zaproszony na UK Nitrides Consortium Winter Meeting 2026Z przyjemnością informujemy o wykładzie zaproszonym dr inż. Marty Sawickiej z Laboratorium MBE naszego Instytutu na konferencji UK Nitrides Consotrium (UKNC) Winter Meeting 2026 organizowanym przez Swansea University (Wielka Brytania) w dniach 7-8 stycznia 2026 r. Tytuł: Exploring electrochemical etching as a tool for cladding engineering in III-nitride laser diodes UKNC łączy brytyjskich badaczy z przemysłu i uczelni, stanowiąc platformę wymiany pomysłów i osiągnięć w zakresie półprzewodników azotkowych oraz materiałów o szerokiej przerwie energetycznej. Pełen program konferencji UK Nitrides Consortium Winter Meeting 2026 pod linkiem. X Winter Workshop Kalatówki 2026Z przyjemnością ogłaszamy 10. Zimowe Warsztaty Kalatówki – wyjątkowe spotkanie naukowe poświęcone fizyce i technologii półprzewodników azotkowych grupy III, w tym diodom laserowym na bazie InGaN, diodom LED, emiterom kwantowym i nowatorskim urządzeniom optoelektronicznym. Warsztaty odbędą się w dniach 15-20 marca 2026 r. Warsztaty kontynuują długoletnią tradycję nieformalnych i inspirujących dyskusji odbywających się w pięknej scenerii Tatr. Naukowcy są zaproszeni do dzielenia się najnowszymi wynikami badań, wymiany pomysłów i zacieśniania współpracy w swobodnej atmosferze hotelu górskiego Kalatówki. Podobnie jak w poprzednich edycjach warsztatów, udział w nich jest możliwy wyłącznie na zaproszenie. Tematyka obejmuje:
|
Adresy |












