Instytut Wysokich Ciśnień

We are pleased to announce that next speaker at Solid State Physics Seminar will be dr Mikołaj Żak from our Institute, MBE Laboratory.

Title: „GaN-based tunnel junctions and their applications in novel optoelectronic devices”

The seminar will be held on Februaty 27, 2026 at 10:15 in stationary mode at the Faculty of Physics room 0.06, Pasteura 5. The abstract is available here and under this link.

Solid State Physics Seminars are organized weekly by the Faculty of Physics, University of Warsaw and chaired by prof. Piotr Kossacki and prof. Andrzej Wysmołek.

We współpracy z AIST zespół badawczy prof. Shiv J. Singh'a (z Laboratorium Nadprzewodników i Technologii Wodorowych NL-6) rozszerzył diagram fazowy nadprzewodnictwa dla fluorem domieszkowanego SmFeAsO (Sm1111) aż do rekordowego poziomu 40% substytucji fluorem, wykorzystując technikę wysokiego ciśnienia w prasie sześciennej (CA-HP, ciśnienie do 6 GPa).

Serię próbek SmFeAsO_1-xF_x (Sm1111) o zakresie 0,05 ≤ x ≤ 0,40 wytworzono przy użyciu tej techniki CA-HP, co pozwoliło na kontrolowane i jednorodne wprowadzenie fluoru w szerokim zakresie składu, obejmującym również reżim przewodnictwa nadmiarowego. Pomiary strukturalne, ramanowskie, transportowe oraz magnetyczne potwierdziły stabilność tetragonalnej fazy Sm1111 oraz skuteczną substytucję fluorem w całej serii. W porównaniu z próbkami wytworzonymi metodami konwencjonalnymi, metoda wysokociśnieniowa znacząco poprawia właściwości nadprzewodzące: w obszarze niedomieszkowanym temperatura przejścia w nadprzewodnictwo (T_c) wzrasta o 10–17 K, a gęstość prądu krytycznego (J_c) zwiększa się nawet o rząd wielkości. Górne pole krytyczne zbliża się do 200 T, co wskazuje na silne ograniczenie paramagnetyczne oraz przewodnictwo wielopasmowe. Po raz pierwszy, przy użyciu techniki wysokiego ciśnienia, opracowano rozszerzony diagram fazowy nadprzewodnictwa dla układu Sm1111. Wyniki te pokazują, że synteza wysokociśnieniowa jest kluczową strategią inżynierii materiałowej, umożliwiającą rozszerzenie zakresu substytucji i optymalizację właściwości nadprzewodzących.

Więcej szczegółów znajduje się w publikacji: M. Azam, T. Zajarniuk, R. Diduszko, T. Palasyuk, C. Jastrzębski, A. Szewczyk, H. Ogino, S. J. Singh: “Fluorine substitution‑dependent phase diagram and superconducting properties of Sm‑based oxypnictides synthesized by a high‑pressure growth technique”, J Mater Sci: Mater Electron 37, 385 (2026).

Rysunek: (a) Temperatura początku nadprzewodnictwa T_c uzyskana z pomiarów rezystywności oraz (b) J_c wyznaczona z pomiarów magnetyzacji dla próbek SmFeAsO_1-xF_x przygotowanych metodą CA-HP, w funkcji nominalnej zawartości fluoru (x). Trzy zacienione obszary kolorystyczne oznaczają rejony niedomieszkowane, optymalne (Opt.) oraz nadmiarowo domieszkowane. Dla porównania uwzględniono również wcześniejsze dane

W dniach 26-27 stycznia oraz 2 lutego 2026 roku miało miejsce wydarzenie naukowe o międzynarodowej randze - 4^th Polish-Slovenian International Seminar (PSIS) on Soft Matter (SM) & Young4SoftMatter Day: Faces of Soft Matter 2026 - ONLINE EDITION.

Inicjatywa ta została zapoczątkowana przez dr hab. Aleksandrę Drozd-Rzoskę, prof. IWC PAN, a jej pierwsza edycja odbyła się w 2021 roku. Więcej o wydarzeniu pod linkiem: https://young4softmatter.pl

Dyrektorzy 4th PSIS on SM & Young4SoftMatter Day: Faces of Soft Matter 2026:

• dr hab. Aleksandra Drozd-Rzoska, prof. IWC PAN (Polska)
• red. prof. dr Samo Kralj (Słowenia)

Dear Colleagues,

We are pleased to invite you to the next IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The talk will be held in a hybrid mode – at the seminar room in New Technologies building, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ).

The talk is scheduled on Tuesday 17.02.2026 at 15:00 CET.

Speaker: Dr. Marcin Zając (Crystal Growth Laboratory, Institute of High Pressure Physics PAS, Warsaw, Poland)

Title: Understanding Be Doping in GaN: Challenges and Opportunities for p-type Material

Abstract: Link

Sincerely,

Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Anna Kafar

W dniach 30 sierpnia - 3 września 2026 roku w Warszawie odbędzie się 21st International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors - DRIP21.

Konferencja, organizowana przez Instytut Wysokich Ciśnień PAN oraz Instytut Fizyki PAN, jest częścią prestiżowej międzynarodowej serii spotkań naukowych poświęconych fizyce defektów w materiałach półprzewodnikowych. Program DRIP21 obejmie m.in. zagadnienia defektów w półprzewodnikach szerokopasmowych, materiałach 2D i perowskitach, defektów kwantowych i spinowych oraz nowoczesnych metod ich detekcji, obrazowania i modelowania. Przewodniczącą Komitetu Organizacyjnego jest dr hab. inż. Julita Smalc-Koziorowska, prof IWC PAN z naszego Instytutu z Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników (NL-12).

Trwa nabór abstraktów – zapraszamy do zgłaszania prac i udziału w konferencji. Więcej informacji na drip21.pl.