Instytut Wysokich Ciśnień

Dear Colleagues,

We are pleased to invite you to the next IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The talk will be held in a fully remote mode –  through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ).

The talk is scheduled on Tuesday 18.11.2025 at 15:00 CET.

Speaker: Prof. Nick Volet (Group of Integrated Photonics, Department of ECE, Aarhus University, Denmark)

Title: Integrated Nonlinear Photonics from the Ultraviolet to the Infrared

Abstract: Link

Sincerely,

Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Anna Kafar

Researchers from the Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences (IWC PAS / Unipress) will take part in the 8th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-8), held at National Cheng Kung University in Tainan, Taiwan, on 9–12 November 2025.

The Institute’s Director, prof. Michał Boćkowski, will deliver an invited lecture in Session S1 “III-N Bulk Crystal Growth,” titled “The Science and Art of GaN Crystal Growth.”

This year ISGN-8 will also inaugurate the Iwińska Award – Best Student Presentation, established in memory of Dr. Małgorzata Iwińska (1985–2024), a brilliant GaN-growth specialist from IHPP PAS. The award—sponsored by IHPP PAS—recognizes excellence among student presenters and commemorates Dr. Iwińska’s scientific achievements and support for young researchers.

W dniach 13-19 czerwca 2026 w Szczyrku w Polsce, odbędzie się konferencja 54th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2026".

Od ponad pół wieku konferencja ta łączy polskie środowisko naukowe z czołowymi światowymi naukowcami, sprzyjając współpracy, inspirując wspólne projekty i budując międzynarodowe przyjaźnie.

Konferencja Jaszowiec 2026 rozpocznie się dwudniową Szkołą (13–14 czerwca 2026 r.) pod przewodnictwem dr. hab. inż. Michała Baranowskiego z Politechniki Wrocławskiej, która skierowana jest głównie do studentów, doktorantów i młodych naukowców. Następnie odbędzie się Konferencja (15–19 czerwca 2026 r.) pod przewodnictwem prof. dr. hab. Piotra Perlina z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN.

Program obejmie aktualne tematy badawcze, takie jak układy kwantowe i niskowymiarowe, oddziaływanie światła z materią, magnetyzm i zjawiska spinowe, przyrządy i zastosowania, oraz wzrost i charakteryzacja materiałów - prezentowane w formie wykładów plenarnych, sesji tematycznych oraz wieczornych dyskusji młodych naukowców. W edycji 2026 zaplanowano również wykłady przedstawicieli przemysłu, wystawę oraz targi pracy dla studentów.

Aktualne informacje znajdują się na stronie konferencji https://www.jaszowiec.edu.pl/

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej (FNP) przyznała Instytutowi Wysokich Ciśnień PAN finansowanie na rozwój Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” w ramach działania Międzynarodowe Agendy Badawcze (MAB FENG). Projekt koncentruje się na badaniach przemysłowych i pracach rozwojowych - finansowanie nie obejmuje badań podstawowych.

Struktura projektu
Projekt integruje pełne spektrum działań „od materiału do konkretnego przyrządu”, w jednym, dedykowanym centrum. Kierownikiem MAB jest prof. dr hab. inż. Michał Boćkowski (IWC PAN), który jednocześnie poprowadzi WP3. Liderami pozostałych pakietów prac są: dr inż. Robert Kucharski (WP1), dr inż. Tomasz Sochacki (WP2) oraz dr hab. Paweł Kempisty, prof. IWC PAN (WP4).

Projekt obejmuje cztery, silnie zintegrowane obszary badawcze, tworzące kompletny łańcuch wartości - od materiału do urządzenia i algorytmów projektowania:

• WP1: Krystalizacja amonotermalna GaN i wytwarzanie podłoży o rekordowej jakości strukturalnej (m.in. docelowo 4-calowe podłoża GaN).
• WP2: Projektowanie i wytwarzanie diod mocy na podłożach GaN (p-n, p-i-n, Schottky/JBS) z naciskiem na niskie straty i wysokie napięcia przebicia.
• WP3: GaN domieszkowany jonami ziem rzadkich jako platforma dla źródeł pojedynczych fotonów i sensorów kwantowych, również z wykorzystaniem autorskiej technologii implantacji + wygrzewania wysokociśnieniowego (I/I+UHPA).
• WP4: Informatyka materiałowa — wykorzystanie AI/ML do optymalizacji krystalizacji, epitaksji oraz projektowania i diagnostyki przyrządów.

Strategiczne partnerstwa i współpraca krajowa 
Silnym elementem „GaN-Unipress” jest współpraca z Uniwersytetem Warszawskim (UW) i Politechniką Warszawską (PW). WP3 będzie rozwijany we współpracy z Zakładem Fizyki Ciała Stałego, Instytutu Fizyki Doświadczalnej UW, a WP4 uzyska wsparcie Zakładu Sztucznej Inteligencji i Metod Obliczeniowych Wydziału Matematyki i Nauk Informacyjnych PW. Ponadto strategicznym partnerem międzynarodowym projektu jest CNR-IMM we Włoszech (Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la Microelettronica e Microsistemi), kierowany m.in. przez zespół dr. Fabrizio Roccaforte.

Dlaczego to ważne?
Połączenie unikalnych kompetencji IWC PAN w fizyce i technologii azotków z krystalizacją GaN, zaawansowaną epitaksją i narzędziami AI/ML daje Polsce wyjątkową pozycję do rozwoju energoelektroniki (wydajna konwersja energii) i technologii kwantowych (komunikacja i sensory), z realnym potencjałem komercjalizacji. Projekt rozwija Centrum „GaN-Unipress” jako rozpoznawalny, międzynarodowy ośrodek doskonałości.

Więcej o programie MAB i wynikach naboru 2/2025 na stronie FNP.

Z przyjemnością ogłaszamy 10. Zimowe Warsztaty Kalatówki – wyjątkowe spotkanie naukowe poświęcone fizyce i technologii półprzewodników azotkowych grupy III, w tym diodom laserowym na bazie InGaN, diodom LED, emiterom kwantowym i nowatorskim urządzeniom optoelektronicznym. Warsztaty odbędą się w dniach 15-20 marca 2026 r.

Warsztaty kontynuują długoletnią tradycję nieformalnych i inspirujących dyskusji odbywających się w pięknej scenerii Tatr. Naukowcy są zaproszeni do dzielenia się najnowszymi wynikami badań, wymiany pomysłów i zacieśniania współpracy w swobodnej atmosferze hotelu górskiego Kalatówki. Podobnie jak w poprzednich edycjach warsztatów, udział w nich jest możliwy wyłącznie na zaproszenie.

Tematyka obejmuje:

• Wzrost epitaksjalny i przetwarzanie struktur III-N
• Charakterystyka optyczna i elektryczna
• Diody laserowe, mikro-diody LED i integracja fotoniczna
• Urządzenia kwantowe i defekty w azotkach
• Nowatorskie zastosowania w komunikacji, wykrywaniu i metrologii