![PL flag Polish flag](/images/stories/loga/znak_barw_rp_pionowa_szara_ramka_rgb.jpg)
![EU flag EU flag](/images/stories/loga/logo_ue_rgb_pion_pl.jpg)
- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
Recent progress in hBN crystallization![]() Compound Semiconductors summarizes the recent advances in hexagonal boron nitride (h-BN) crystallization achieved in the Institute of High Pressure Physics (Poland) and Institute of Semiconductor Physics (Ukraine) in the article "Producing high-quality hexagonal BN". Find out about initial experiments results and the importance of BN-solvent equilibrium conditions determination for further improvements. Figure. hBN crystal grown from Ni-Cr solution at 0.1 GPa N2 pressure at 1450 °C. The growth hillock is visible in the central part, proving that growth also takes place in the direction of the c-axis. 10th Workshop on the Physics and Technology of Semiconductor Lasers![]() 10th Workshop on the Physics and Technology of Semiconductor Lasers will take place from 13th to 18th October 2024 in Sopot, Poland. This is a must-attend event for everyone interested in semiconductor laser physics and technology. Kindly mark these dates in your calendar! The first announcement can be downloaded here. Abstract submission deadline - 30th July 2024
More information about the scope of the 10th Workshop on the Physics and Technology of Semiconductor Lasers, its Program Committee, Honorary Chair and the Workshop venue can be found at: https://10thlaserworkshop.unipress.waw.pl/ 3rd Polish-Slovenian International Seminar on Soft Matter![]() The 3rd Polish-Slovenian International Seminar on Soft Matter "Unique critical fluctuations: from liquids to nanocolloids. Show yourself in Science" will be held on-line on from 26 to 28 September, 2024. It is directed by prof. dr hab. Aleksandra Drozd-Rzoska (Institute of High Pressure Physics, Poland) and prof. Samo Kralj (University of Maribor and Josef Stefan Institute, Slovenia). More details are given in the invitation below (click to enlarge). Visit also the seminar webpage on Facebook. IWN 2024![]() 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024) will be held this year in O'ahu, Hawai'i, on November 3-8, 2024. It is organized by Profs.Zlatko Sitar and Ramón Collazo. The IWN 2024 will bring together researchers from around the world to discuss the latest advances in the field of III-Nitride semiconductors. IWN 2024 will celebrate the achievements of Profs. Asif Khan and Russel Dupuis as honorary chairs. Prof. Czesław Skierbiszewski from our Institute will have a plenary talk „Tunnel Junctions for Novel Nitride Optoelectronic Devices”. |
Plastycznie zrelaksowane warstwy InGaN![]() Plastycznie zrelaksowane warstwy InGaN stanowią obiecującą perspektywę dla uzyskania objętościowych podłoży o stałej sieci zwiększonej w stosunku do podłoży GaN. Prace nad tego typu strukturami prowadzone są w laboratorium NL-12. Z przyjemnością ogłaszamy niedawną publikację artykułu J. Moneta et al. "Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN" w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia, gdzie autorzy opisują wpływ dezorientacji podłoża GaN na procesy relaksacji naprężeń warstw InGaN. Badania wskazują, że powszechnie wykorzystywana metodyka badania stopnia relaksacji warstw epitaksjalnych o strukturze wurcytu może prowadzić do dużych błędów pomiarowych i mylnych wniosków. Przez wzgląd na występujące deformacje sieci krystalicznej konieczna jest zaawansowana charakteryzacja XRD. Zapraszamy do zapoznania z artykułem. Wygrana w konkursie Eureka! DGP 2024![]() Członkowie zespołu Laboratorium Epitaksji Związek Molekularnych z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w składzie mgr inż. Mikołaj Żak, dr inż. Grzegorz Muzioł, dr inż. Marcin Siekacz, dr hab. Henryk Turski, mgr inż. Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek oraz prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski zdobyli pierwsze miejsce w konkursie Dziennika Gazety Prawnej „Eureka! DGP 2024 – odkrywamy polskie wynalazki” za wynalazek „Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna i sposób wykonania takiej diody”. W konkursie rywalizowały zespoły, których wynalazki zostały zgłoszone do Polskiego Urzędu Patentowego w latach 2021-2022. Relację z gali wręczenia nagród można znaleźć pod linkiem Youtube. Zwycięzcom serdecznie gratulujemy i życzymy dalszych sukcesów! Mgr inż. Mikołaj Żak oraz dr inż. Marcin Siekacz odbierający główną nagrodę w imieniu całego zespołu – fot. Wojciech Górski, Dziennik Gazeta Prawna. Pamiątkowa statuetka – fot. Wojciech Górski, Dziennik Gazeta Prawna. Symposium I at E-MRS Fall Meeting![]() A few more days to submit an abstract for Symposium I “III-nitrides and their use in electronics and optoelectronics” within the E-MRS 2024 Fall Meeting & Exhibit. Conference is organized at the University of Technology in Warsaw, Poland from 16th to 19th September 2024. The symposium is a platform for exchanging research results and discussions related to III-nitride semiconductor growth, characterization and device fabrication. This includes traditional materials: GaN, InGaN, AlGaN, as well as so-called new nitrides: NbN, ScAlN. More info and abstract submission: https://www.european-mrs.com/iii-nitrides-and-their-use-electronics-and-optoelectronics-emrs |
Adresy |