|
11.12.2014
"The state-off the art of Unipress laser diodes grown on semi-polar GaN plane"
Łucja Marona
04.12.2014
"InGaN/GaN short-period superlattices grown by plasma assisted MBE"
Marcin Siekacz
27.11.2014
"Low temperature InGaN growth"
Henryk Turski
20.11.2014
"About the "fussy" marriage of indium with hydrogen"
Robert Czernecki
13.11.2014
"Structural defects in InGaN/GaN multi quantum well structures"
Julita Smalc-Koziorowska
30.10.2014
"Plany badawcze NL-2 c. d./Główne założenia projektu SchottGaN"
Prof. Czesław Skierbiszewski, Piotr Kruszewski
23.10.2014
"Research plans of NL-2 lab."
Prof. Tadeusz Suski, Prof. Piotr Perlin, Prof. Michał Leszczyński
16.10.2014
"Peak wavelength and spectral width of luminescence from InGaN/GaN multiquantum wells grown on miscut polar and semipolar (20-21) substrates"
Marcin Sarzyński
09.10.2014
"Optimization of blue laser diodes grown by PAMBE"
Grzegorz Muzioł
17.06.2014
"MBE growth of nanowires on Si"
Prof. Hennig Riechert
16.06.2014
"Wide Band GaP ultraviolet emitters and ultrahigh power and RF devices"
Prof. Russel Dupuis
26.11.2013
"Struktura elektronowa luki galowej w GaN: obliczenia GGA+U i potrzeba eksperymentu"
Prof. Piotr Bogusławski
24.10.2013
"Polarity control in III-Nitrides for polar homo-and heterointerfaces: TEM studies"
Stefan Mohn
04.04.2013
"Pokaz mikroskopów Olympusa"
Jacek Kacperski
21.03.2013
"The world's first semipolar diode grown by PAMBE"
Marta Sawicka
21.02.2013
"MOVPE structures with 2DEG for HEMT aplication"
Paweł Prystawko
12.02.2013
'Wavelength dependent optical monitoring/study on III-N epitaxy front: lateral-size effects of one-ML thick surface-islands/disks'
Prof. Akihiko Yoshikawa
03.01.2013
'Diody laserowe na modyfikowanych przestrzennie podłożach GaN'
Marcin Sarzyński
30.07.2012
'Growth of InN/GaN Short Period Superlattices and InGaN Tennary Alloys by MBE'
Xingiang Wang
8.03.2012
'Jaka jest rola tlenu w formowaniu się kontaktów do GaN typu-p?'
Elżbieta Litwin-Staszewska
19.01.2012
'MOVPE epitaxial structures with 2 DEG for HEMT application grown in Unipress'
Paweł Prystawko
12.01.2012
'Plasmonic substrates for nitride lasers'
Prof. Piotr Perlin
05.01.2012
'Short period supercattices InN/GaN and GaN/AlN'
Prof. Iza Gorczyca and Prof. Tadeusz Suski
08.12.2011
'Pressure tuning of high power laser diodes in the near infrared'
Prof. Witold Trzeciakowski
17.11.2011
'Growth of nitride quantum structures on N-polar substrates'
Dr Caroline Cheze
10.11.2011
'Półprzewodnikowe zwierciadła Bragga'
Paulina Perkowska
20.10.2011
'MOVPE grown InAIN layers for UV, violet and blue laser diodes'
Robert Czernecki
06.10.2011
'True-blue laser diodes by PA-MBE'
Pfof. Czesław Skierbiszewski
05.05.2011
'Co z tym p w InN? Gdzie jesteśmy?'
Dr Lesław Dmowski
21.04.2011
'Lasery pompowane optycznie- VECSEL'
Prof. Jan Muszalski
24.03.2011
'InGaN/GaN quantum structures under high pressure'
Grzegorz Staszczak
10.03.2011
'GRIN lenses under pressure'
Bernard Piechal
03.03.2011
'Deformation of unit cells of epitaxial layers deposited on miscut GaN substrares'
Marcin Kryśko
17.02.2011
'Optical gain in the nitrades: Hakki-Paoli method'
Jakub Goss
03.02.2011
'Kelvin probe characterisation of GaN'
Grzegorz Nowak
27.01.2011
'Wpływ wodoru na warstwy InGaN hodowane metodą MOVPE'
Robert Czernecki
20.01.2011
'Defekty struktury krystalicznej w warstwach MBE - korelacja procesu wzrostu z wynikami z TEM.
Julita Smalc-Koziorowska
18.01.2011
'A bi-layer oxide buffer approach for the integration of single crystalline GaN on Si (111) platform'
Lidia Tarnawska
13.01.2011
'Segregacja indu w InGaN InAlN'
Tadeusz Suski
16.12.2010
'Growth of InGaN by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy'
Henryk Turski
09.12.2010
'Nitride based laser diodes grown by RF-Plasma MBE'
Marcin Siekacz
02.12.2010
'Degradation mechanisms of nitride laser diodes'
Łucja Marona
25.11.2010
'The Physics of Innovation'
Steve Najda
24.11.2010
'GaN-based HEMT transistors and some other nanodevices'
Yang Fuhua
|
Laboratory of Optoelectronic Devices