Institute of High Pressure Physics

One of the employees of our Institute has been invited to participate in the 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors. The Workshop will be held on October 30 - 31, 2014 at Tohoku University, Sendai, Japan.
http://www.matsuoka-lab.imr.tohoku.ac.jp/?WNS2014

The purpose of the Workshop is find the direction to take in the future and the problems that need to be solved in the field of crystal growth of nitride semiconductors. The number of participants is limited to 50 people, and the straightforward discussions are greatly encouraged among the selected professionals.

W dniach 24-29 sierpnia odbyła się we Wrocławiu konferencja IWN 2014 (International Workshop on Nitride Semiconductors). Konferencja ta była kontynuatorką podobnych spotkań z, których ostatnie odbyły się w Japonii - Sapporo 2012 i w USA -Tampa 2010.

Konferencja ta była w była w tym roku organizowana przez  IWC PAN we współpracy z Uniwersytetem Wrocławskim, Wrocławskim Centrum badań EIT+ i Instytutem Niskich Temperatur PAN. Konferencji przewodniczyli prof. Tadeusz Suski z IWC PAN oraz prof. Detlef Hommel z Uniwersytetu Wrocławskiego  i Wrocławskiego Centrum Badań EIT+.

W dniu 4 lipca  2014 roku, na Wydziale Inżynierii Materiałowej  Politechniki Warszawskiej miała miejsce publiczna obrona rozprawy doktorskiej Dariusza Smolenia pod tytułem:
Mikrofalowa hydrotermalna synteza nanoproszku hydroksyapatytu o strukturze i właściwościach naśladujących bioapatyt.

Opracowany w ramach pracy nanoproszek hydroksyapatytu został zarejestrowany pod nazwą handlową GoHAP, jest on przedmiotem dwóch międzynarodowych zgłoszeń patentowych oraz trzech publikacji w międzynarodowych czasopismach naukowych.

Jan Jun
1939 – 2014

Z ogromną przykrością zawiadamiamy, że w dniu 27 czerwca 2014 umarł nasz Kolega Janek Jun. Janek był fizykiem, wspaniałym eksperymentatorem i uroczym człowiekiem. Pracował w naszym Instytucie w latach 1982 – 2002. Był współautorem jednego z najważniejszych wyników w historii Unipress-u: Krzywej równowagi GaN.

J.Karpinski, J.Jun, S.Porowski, Equilibrium Pressure of N2 over GaN and High Pressure Solution Growth of GaN, Journal of Crystal Growth 66(1984)