Artykuł Michała Boćkowskiego i współautorów z Japonii wyróżniony przez redakcję
Niedziela, 28 Czerwiec 2020 19:04 |
W ostatnich dniach, otrzymaliśmy e-mail z redakcji APL wraz z załączonymi artykułami z 2019 roku zaliczonymi przez edytorów do kategorii
Highly Cited, Highly Read Research in Semiconductors
Miło było zauważyć wśród innych ważnych prac, artykuł na temat aktywacji domieszki magnezu wprowadzonej do kryształu GaN poprzez implantację jonową. Do aktywacji domieszki i rekonstrukcji sieci krystalicznej zniszczonej w wyniku implantacji wykorzystana została metoda wygrzewania w wysokim ciśnieniu azotu, opracowana w IWC PAN.
Metoda wysokociśnieniowa może mieć ogromne znaczenie w technologii selektywnego domieszkowania struktur tranzystorowych opartych o GaN.
Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing
Obrazy AFM powierzchni GaN po implantacji jonowej. Wygrzewanie bez ciśnienia (RTA) prowadzi do rozkładu powierzchni: skala pionowa-200nm, wygrzewanie pod ciśnieniem (UHPA) zachowuje płaską powierzchnię struktury: skala pionowa: 5 nm.
