Laboratory of Nitride Semiconductor Physics

Seminars

Thursday's seminar at 14:00 pm held on Prymasa Tysiąclecia 98 Street



2017-06-12 (Monday)

dr hab. Imad Belabbas

Chemistry Department of Abderahmane Mira University, Bejaia, Algieria

„Core configurations of threading dislocations in wurtzite GaN"




*********************************************************************************

2017-04-20

 

Ion beam modifications of compound semiconductors

 

prof. dr hab. inż. Andrzej Turos





2017-03-30
About scientific excellence in Polish Science
prof. Mike Leszczynski




11.12.2014
"The state-off the art of Unipress laser diodes grown on semi-polar GaN plane"
Łucja Marona

04.12.2014
"InGaN/GaN short-period superlattices grown by plasma assisted MBE"
Marcin Siekacz


27.11.2014
"Low temperature InGaN growth"
Henryk Turski


20.11.2014
"About the "fussy" marriage of indium with hydrogen"
Robert Czernecki


13.11.2014
"Structural defects in InGaN/GaN multi quantum well structures"
Julita Smalc-Koziorowska


30.10.2014
"Plany badawcze NL-2 c. d./Główne założenia projektu SchottGaN"
Prof. Czesław Skierbiszewski, Piotr Kruszewski


23.10.2014
"Research plans of NL-2 lab."
Prof. Tadeusz Suski, Prof. Piotr Perlin, Prof. Michał Leszczyński


16.10.2014
"Peak wavelength and spectral width of luminescence from InGaN/GaN multiquantum wells grown on miscut polar and semipolar (20-21) substrates"
Marcin Sarzyński


09.10.2014
"Optimization of blue laser diodes grown by PAMBE"
Grzegorz Muzioł

17.06.2014
"MBE growth of nanowires on Si"
Prof. Hennig Riechert

16.06.2014
"Wide Band GaP ultraviolet emitters and ultrahigh power and RF devices"
Prof. Russel Dupuis






26.11.2013
"Struktura elektronowa luki galowej w GaN: obliczenia GGA+U i potrzeba eksperymentu"
Prof. Piotr Bogusławski

24.10.2013
"Polarity control in III-Nitrides for polar homo-and heterointerfaces: TEM studies"
Stefan Mohn

04.04.2013
"Pokaz mikroskopów Olympusa"
Jacek Kacperski


21.03.2013
"The world's first semipolar diode grown by PAMBE"
Marta Sawicka


21.02.2013
"MOVPE structures with 2DEG for HEMT aplication"
Paweł Prystawko


12.02.2013
'Wavelength dependent optical monitoring/study on III-N epitaxy front: lateral-size effects of one-ML thick surface-islands/disks'
Prof. Akihiko Yoshikawa


03.01.2013
'Diody laserowe na modyfikowanych przestrzennie podłożach GaN'
Marcin Sarzyński


30.07.2012
'Growth of InN/GaN Short Period Superlattices and InGaN Tennary Alloys by MBE'
Xingiang Wang


8.03.2012
'Jaka jest rola tlenu w formowaniu się kontaktów do GaN typu-p?'
Elżbieta Litwin-Staszewska

19.01.2012
'MOVPE epitaxial structures with 2 DEG for HEMT application grown in Unipress'
Paweł Prystawko

12.01.2012
'Plasmonic substrates for nitride lasers'
Prof. Piotr Perlin


05.01.2012
'Short period supercattices InN/GaN and GaN/AlN'
Prof. Iza Gorczyca and Prof. Tadeusz Suski


08.12.2011
'Pressure tuning of high power laser diodes in the near infrared'
Prof. Witold Trzeciakowski


17.11.2011
'Growth of nitride quantum structures on N-polar substrates'
Dr Caroline Cheze


10.11.2011
'Półprzewodnikowe zwierciadła Bragga'
Paulina Perkowska


20.10.2011
'MOVPE grown InAIN layers for UV, violet and blue laser diodes'
Robert Czernecki


06.10.2011
'True-blue laser diodes by PA-MBE'
Pfof. Czesław Skierbiszewski


05.05.2011
'Co z tym p w InN? Gdzie jesteśmy?'
Dr Lesław Dmowski


21.04.2011
'Lasery pompowane optycznie- VECSEL'
Prof. Jan Muszalski


24.03.2011
'InGaN/GaN quantum structures under high pressure'
Grzegorz Staszczak


10.03.2011
'GRIN lenses under pressure'
Bernard Piechal


03.03.2011
'Deformation of unit cells of epitaxial layers deposited on miscut GaN substrares'
Marcin Kryśko


17.02.2011
'Optical gain in the nitrades: Hakki-Paoli method'
Jakub Goss


03.02.2011
'Kelvin probe characterisation of GaN'
Grzegorz Nowak


27.01.2011
'Wpływ wodoru na warstwy InGaN hodowane metodą MOVPE'
Robert Czernecki


20.01.2011
'Defekty struktury krystalicznej w warstwach MBE - korelacja procesu wzrostu z wynikami z TEM.
Julita Smalc-Koziorowska


18.01.2011
'A bi-layer oxide buffer approach for the integration of single crystalline GaN on Si (111) platform'
Lidia Tarnawska


13.01.2011
'Segregacja indu w InGaN InAlN'
Tadeusz Suski


16.12.2010
'Growth of InGaN by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy'
Henryk Turski


09.12.2010
'Nitride based laser diodes grown by RF-Plasma MBE'
Marcin Siekacz


02.12.2010
'Degradation mechanisms of nitride laser diodes'
Łucja Marona


25.11.2010
'The Physics of Innovation'
Steve Najda


24.11.2010
'GaN-based HEMT transistors and some other nanodevices'
Yang Fuhua




18.11.2010
'Rezonanas cyklotronowy nie tylko grafenie'
Andrzej Witowski






04.11.2010
'GaN growth anisotropy on m-plane in plasma assisted MBE'
Marta Sawicka






28.10.2010
'Physics of solid state and fiber lasers'
Mariusz Klimczak






21.10.2010
'Research plans for NL2 Laboratory'
Tadeusz Suski, Czesław Skierbiszewski and Piotr Perlin




14.10.2010
'Optical characterization of InGaN/GaN laser diode arrays'
Katarzyna Holc



Back

admin | powered by pluck