Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN


O nas

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.


Aktualności

Politechnika Gdańska partnerem projektu TEAM-TECH

Instytut Wysokich Ciśnień PAN i Politechnika Gdańska, Wydział Fizyki i Matematyki Stosowanej, reprezentowany przez profesora Wojciecha Sadowskiego, rozpoczynają współpracę w ramach projektu TEAM-TECH.

Obrona pracy magisterskiej Mateusza Hajdla

16.07.2018 Gratulujemy obrony z wyróżnieniem mgr inż. Mateuszowi Hajdlowi - stypendyście Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, studentowi w projekcie TEAM-TECH.

Stypendia dla studentów w Laboratorium MBE
Ostatnio opublikowaliśmy:
  1. Hydrogen diffusion in GaN:Mg and GaN:Si By: R. Czernecki, E. Grzanka, R. Jakiela, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, H. Turski, P. Perlin, T. Suski, K. Donimirski, M. Leszczyński, Journal of Alloys and Compounds 747, 354-358 Published: MAY 2018
  2. True-blue laser diodes with tunnel junctions grown monolithically by plasma-assisted molecular beam epitaxy By: C. Skierbiszewski, G. Muziol, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Turski, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Zmuda, A. Nowakowska-Szkudlarek, M. Sawicka, and P. Perlin, Applied Physics Express 11, 034103 Published: MAR 2018
    Pełna lista publikacji dostępna TUTAJ
Dr. inż. Marta Sawicka laureatką programu POWROTY 4/2017

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej rozstrzygnęła czwarte konkursy w programach HOMING i POWROTY. Wśród laureatów programu POWROTY 4/2017 znalazła się dr inż. Marta Sawicka z naszego Zespołu.
Jej projekt pt. Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń ma na celu zrozumienie mikroskopowego mechanizmu wzrostu i znalezienie optymalnych warunków do wytwarzania wysokiej jakości warstw InAlN o składzie 83% Al i 17%In, który jest dopasowany sieciowo do GaN. Otrzymanie wysokiej jakości InAlN metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową (PAMBE) będzie kluczowe dla poprawy parametrów obecnie rozwijanych azotkowych diod laserowych o emisji krawędziowych i pozwoli na uzyskanie diod o emisji powierzchniowej (VCSELs), obecnie niedostępnych na rynku.
Projekt będzie realizowany we współpracy z grupą prof. E. Calleja z Politechniki w Madrycie oraz grupą fizyków teoretyków Prof. M. Załuskiej-Kotur z Instytutu Fizyki PAN. Wyniki otrzymane w ramach projektu będą przetestowane na strukturach diod laserowych, które zostaną przygotowane we współpracy z firmą TopGaN.
archiwum aktualności


Nasz zespół

prof dr hab. Czesław
Skierbiszewski

dr inż. Grzegorz
Muzioł
dr Henryk
Turski
dr inż. Marcin
Siekacz
dr inż. Marta
Sawicka
mgr Anna
Feduniewicz-Żmuda
mgr inż. Krzesimir
Nowakowski-Szkudlarek
mgr inż. Paweł
Wolny
mgr inż. Maciej
Mikosza
inż. Mateusz
Hajdel
inż. Mikołaj
Żak


Projekty

Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:

1. TeamTech

„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”

2. N-side

"Wykonanie podłoży polarnych z azotku galu o azotowej stronie powierzchni czynnej oraz określenie jej przydatności w epitaksji”

3. LIDER

"Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”

4. SPRInG

“Short Period Superlattices for Rational (In Ga)N”

5. POWROTY

"Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń."

Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ


Galeria

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).


Kontakt

Adres

Siedziba główna:
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa

Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa

komunikacja miejska:
Majakowskiego - przystanek tramwajowy
Obozowa - przystanek autobusowy

Telefon:

+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab

E-mail:

czeslaw@unipress.waw.pl